[發明專利]大擺幅輸出電壓高精度電流源

有效

• 申請號: 202011504499.1
• 申請日: 2020-12-18
• 公開（公告）號: CN112486238B
• 公開（公告）日: 2022-08-02
• 發明（設計）人: 田磊;劉惠強;程龍
• 申請（專利權）人: 思瑞浦微電子科技（蘇州）股份有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 蘇州三英知識產權代理有限公司 32412
• 代理人: 周仁青

1.一種大擺幅輸出電壓高精度電流源，其特征在于，所述電流源包括：

電流鏡單元，包括共源共柵設置的第一MOS管及若干第二MOS管；

輸入單元，用于提供輸入電流I_IN，包括與第一MOS管相連的第三MOS管、電阻R及輸入電流源I_IN；

輸出單元，用于提供輸出電流I_OUT，包括與第二MOS管相連的第四MOS管；

增益提高單元，用于提高電流源的輸出阻抗r_out，包括與電流鏡單元、第三MOS管及第四MOS管相連的運算放大器；

所述電流鏡單元中還包括若干開關控制單元，用于控制第二MOS管的導通或關閉狀態；

所述開關控制單元包括連接于第一MOS管柵極和第二MOS管柵極之間的第一開關及連接于第二MOS管柵極和電源電壓V_DD之間的第二開關，且第一開關和第二開關的導通/關閉狀態相反。

2.根據權利要求1所述的大擺幅輸出電壓高精度電流源，其特征在于，所述第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管及第四MOS管均為PMOS管。

3.根據權利要求2所述的大擺幅輸出電壓高精度電流源，其特征在于，所述電流鏡單元中，第一MOS管的柵極與第二MOS管的柵極相連，第一MOS管的源極和第二MOS管的源極均與電源電壓V_DD相連，第一MOS管的漏極與第三MOS管的源極相連，第二MOS管的漏極與第四MOS管的源極相連。

4.根據權利要求1所述的大擺幅輸出電壓高精度電流源，其特征在于，所述電流鏡單元包括多個并聯設置的第二MOS管、及多個開關控制單元，每個開關控制單元用于控制對應的第二MOS管的導通或關閉狀態。

5.根據權利要求2所述的大擺幅輸出電壓高精度電流源，其特征在于，所述運算放大器的第一輸入端與第一MOS管的漏極相連，第二輸入端與第二MOS管的漏極相連，運算放大器還用于鉗位第一MOS管漏極端的第一電壓與第二MOS管漏極端的第二電壓。

6.根據權利要求5所述的大擺幅輸出電壓高精度電流源，其特征在于，所述第三MOS管的柵極與電阻R的第二端及輸入電流源I_IN相連，源極與第一MOS管的漏極和運算放大器的第一輸入端相連，漏極與電阻R的第一端相連。

7.根據權利要求5所述的大擺幅輸出電壓高精度電流源，其特征在于，所述第四MOS管的柵極與運算放大器的輸出端相連，源極與第二MOS管的漏極及運算放大器的第二輸入端相連，漏極作為電流源的輸出端。

8.根據權利要求5所述的大擺幅輸出電壓高精度電流源，其特征在于，所述運算放大器包括：

PMOS管PM1及PMOS管PM2，PM1和PM2的柵極相連，PM1和PM2的源極與電源相連，PM1的柵極與PM1的漏極相連；

NMOS管NM1及NMOS管NM2，NM1和NM2的柵極分別為運算放大器的第一輸入端和第二輸入端，NM1的漏極與PM1的漏極相連，NM2的漏極與PM2的漏極相連，NM1的源極和NM2的源極分別與電流源I_SS相連。