[發明專利]顯示裝置和電子設備

在審

• 申請號: 202011503421.8
• 申請日: 2017-02-14
• 公開（公告）號: CN112614882A
• 公開（公告）日: 2021-04-06
• 發明（設計）人: 辻川真平
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/10;H01L29/78;H01L27/32
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 吳孟秋

1.一種顯示裝置，包括：

驅動晶體管，所述驅動晶體管包括

設置在半導體基板中的第一導電型活性區域，

設置為橫斷所述活性區域的開口，

設置在包括所述開口的內部的所述活性區域上的柵極絕緣膜，

填充所述開口的柵電極，和

設置在所述活性區域的兩側上夾著所述開口的第二導電型擴散區域；和

配置為由所述驅動晶體管驅動的有機電致發光元件。

2.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，將多個所述開口設置為串聯排列。

3.根據權利要求2所述的顯示裝置，其中，將具有高于所述活性區域的濃度的第一導電型溝道截斷區域設置在每個所述開口之間。

4.根據權利要求3所述的顯示裝置，其中，將所述溝道截斷區域設置為橫斷所述活性區域。

5.根據權利要求3所述的顯示裝置，其中，將所述溝道截斷區域設置在所述半導體基板的內部。

6.根據權利要求3所述的顯示裝置，其中，將所述溝道截斷區域設置到比具有絕緣性的元件隔離層深的區域，所述元件隔離層設置在所述活性區域的周圍。

7.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述開口具有300nm或更深的深度。

8.根據權利要求7所述的顯示裝置，其中，將所述開口設置到比具有絕緣性的元件隔離層淺的區域，所述元件隔離層設置在所述活性區域的周圍。

9.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述半導體基板是硅基板。

10.一種電子設備，包括：

顯示單元，所述顯示單元包括

驅動晶體管，所述驅動晶體管包括

設置在半導體基板中的第一導電型活性區域，

設置為橫斷所述活性區域的開口，

設置在包括所述開口的內部的所述活性區域上的柵極絕緣膜，

填充所述開口的柵電極，和

設置在所述活性區域的兩側上夾著所述開口的第二導電型擴散區域；和

配置為由所述驅動晶體管驅動的有機電致發光元件。