[發明專利]用于鈣鈦礦電池中空穴傳輸層氧化鎳薄膜制備方法及其應用在審
| 申請號： | 202011502509.8 | 申請日： | 2020-12-18 |
| 公開（公告）號： | CN112614940A | 公開（公告）日： | 2021-04-06 |
| 發明（設計）人： | 陳瑞 | 申請（專利權）人： | 無錫極電光能科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/42 | 分類號： | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 周慧云 |
| 地址： | 214101 江蘇省無錫*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 鈣鈦礦 電池 空穴 傳輸 氧化 薄膜 制備 方法 及其 應用 | ||
1.一種制備用于鈣鈦礦電池中空穴傳輸層氧化鎳薄膜的方法，其特征在于，包括：
(1)提供基底和前驅液，所述前驅液含有鎳源和氧化劑；
(2)將所述基底懸浮于所述前驅液上方，使所述基底的導電面與所述前驅液接觸，并進行化學浴沉積，以便在所述基底的導電面形成氧化鎳薄膜前體；
(3)對步驟(2)所得產品進行退火處理，得到所述氧化鎳薄膜。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底預先經過預處理，所述預處理包括超聲清洗和紫外臭氧處理。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述鎳源選自硝酸鎳、硫酸鎳、醋酸鎳、乙酰丙酮鎳中的至少之一；
任選地，所述氧化劑為過硫酸鉀。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述鎳源的濃度為0.1～0.2mol/L；
任選地，所述氧化劑的濃度為0.01～0.02mol/L。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述化學浴沉積中，利用堿調節所述前驅液的pH值為7.5～9；
任選地，所述堿選自氨水、NaOH、KOH中的至少之一。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述化學浴沉積進行的時間為5～10min。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火處理在400～600℃下進行30～60min完成。
8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在進行所述退火處理之前，預先對步驟(2)所得產品進行清洗和干燥。
9.一種氧化鎳薄膜，其特征在于，是由權利要求1～8任一項所述的方法制備得到的。
10.一種鈣鈦礦電池，其包括空穴傳輸層，其特征在于，所述空穴傳輸層為權利要求8或9所述的氧化鎳薄膜。
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H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
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H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
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