[發明專利]具有在淺溝槽下的深插塞的集成設備

在審

• 申請號: 202011500998.3
• 申請日: 2020-12-18
• 公開（公告）號: CN112992847A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: A·帕勒亞里;S·D·馬里亞尼;I·巴爾迪;D·布拉澤利;A·P·梅利尼
• 申請（專利權）人: 意法半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/538;H01L29/06;H01L21/48;H01L21/762;H01L21/768
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 羅利娜

1.一種集成設備，包括：

半導體主體，具有主表面和一厚度；以及

深插塞，包括：

深溝槽，從所述主表面延伸到所述半導體主體中達小于所述厚度的深深度，所述深溝槽具有側表面，所述側表面涂覆有電絕緣材料的絕緣涂層，并且所述深溝槽具有導電材料的導電填料，所述導電填料填充經涂覆的所述深溝槽，并且在所述深溝槽的底部處與所述半導體主體進行物理接觸和電接觸；

導電材料的溝槽接觸件，與所述導電填料接觸；和

淺溝槽，從所述主表面延伸到所述半導體主體中，所述淺溝槽在距所述主表面的淺深度處具有淺表面，所述淺深度小于所述深深度，所述淺溝槽填充有電絕緣材料的絕緣填料；

其中所述深溝槽在所述淺表面處從所述淺溝槽延伸達所述深深度；并且

其中所述溝槽接觸件通過溝槽窗口在所述淺表面處與所述導電填料接觸，所述溝槽窗口存在于用于所述淺溝槽的所述絕緣填料中。

2.根據權利要求1所述的集成設備，其中所述淺溝槽與所述深溝槽同軸，其中所述淺溝槽的、平行于所述主表面截取的截面大于所述深溝槽的、平行于所述主表面截取的截面，并且其中穿過所述淺溝槽的所述溝槽窗口暴露所述導電填料的中心部分，所述溝槽接觸件通過所述溝槽窗口與所述導電填料的所述中心部分接觸。

3.根據權利要求1所述的集成設備，還包括：

第一另外的淺溝槽，將所述半導體主體的低電壓區域絕緣；

第二另外的淺溝槽，將所述半導體主體的高電壓區域絕緣；

其中所述低電壓區域包括：

所述集成設備的一個或多個低電壓部件，被設計成在低電壓處工作；和

一個或多個有源區域，從所述主表面在所述低電壓區域中延伸；

其中所述高電壓區域包括：

所述集成設備的一個或多個高電壓部件，被設計成在高于所述低電壓的高電壓處工作；和

一個或多個有源區域，從所述另外的淺溝槽中的至少一個選擇的淺溝槽的所述淺表面在所述高電壓區域中延伸。

4.根據權利要求3所述的集成設備，其中所述主表面與所述淺溝槽的所述淺表面之間和與所述第二另外的淺溝槽的淺表面之間的界面表面，與所述主表面形成20°-70°的角度。

5.根據權利要求1所述的集成設備，其中所述溝槽窗口的表面與所述主表面形成一角度，所述角度小于由所述主表面與所述淺溝槽的所述淺表面之間的界面表面形成的角度。

6.根據權利要求1所述的集成設備，還包括：

另外的淺溝槽，將所述半導體主體的低電壓區域絕緣；

其中所述低電壓區域包括：

所述集成設備的一個或多個低電壓部件，被設計成在低電壓處工作；以及

一個或多個有源區域，從所述主表面在所述低電壓區域中延伸。

7.一種系統，包括至少一個根據權利要求6所述的集成設備。

8.根據權利要求1所述的集成設備，還包括：

另外的淺溝槽，將所述半導體主體的高電壓區域絕緣；

其中所述高電壓區域包括：

所述集成設備的一個或多個高電壓部件，被設計成在高于所述低電壓的高電壓處下工作；以及

一個或多個有源區域，從所述另外的淺溝槽中的至少一個選擇的淺溝槽的所述淺表面在所述高電壓區域中延伸。

9.一種系統，包括至少一個根據權利要求7所述的集成設備。

10.一種系統，包括至少一個根據權利要求1所述的集成設備。

11.根據權利要求1所述的集成設備，其中所述淺溝槽的側壁相對于所述淺表面形成第一角度，所述側壁從所述主表面延伸到所述淺表面，并且其中存在于所述絕緣填料中的所述溝槽窗口的側壁相對于所述淺表面形成第二角度，所述第二角度與所述第一角度不同。