[發明專利]一種TC-SAW諧振器及制造方法

在審

• 申請號: 202011500791.6
• 申請日: 2020-12-18
• 公開（公告）號: CN112653407A
• 公開（公告）日: 2021-04-13
• 發明（設計）人: 李紅浪;許欣;柯亞兵
• 申請（專利權）人: 廣東廣納芯科技有限公司
• 主分類號: H03H3/02
• 分類號: H03H3/02;H03H9/17
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 楊潔

1.一種TC-SAW諧振器，包括：

高聲速材料的襯底層；

位于所述高聲速材料襯底層之上的壓電材料為單晶36°YX LiTaO₃或42°YX LiTaO₃的壓電層，所述壓電層厚度為λ；

設在所述壓電層上的電極；

在所述壓電層上覆蓋的LGS層，所述LGS層的厚度為0.2λ，歐拉角為(0°,90°,90°)，

其中，λ是所述電極激發的聲波波長。

2.如權利要求1所述的TC-SAW諧振器，其特征在于，所述襯底層的高聲速材料選自Si、SiN、Al₂O₃、3C-SiC、金剛石、W、4H-SiC或6H-SiC中的至少一種，所述襯底層厚度為50λ。

3.如權利要求1所述的TC-SAW諧振器，其特征在于，所述電極寬度和電極之間的間距均為0.25λ，電極厚度為200nm，電極沿孔徑長度為10λ，電極指對數為1000對，所述電極由Ti、Al、Cu、Au、Pt、Ag、Pd、Ni金屬或合金、或者這些金屬或合金的層疊體構成。

4.如權利要求1所述的TC-SAW諧振器，其特征在于，所述電極埋入所述壓電層。

5.如權利要求1所述的TC-SAW諧振器，其特征在于，所述電極不埋入所述壓電層。

6.一種TC-SAW諧振器的制造方法，包括：

對歐拉角為(0°，90°，90°)的LGS層的基板進行預處理；

在經預處理的所述LGS層的基板上定義IDT金屬層溝壑圖形；

刻蝕出IDT金屬填埋溝；

沉積IDT金屬層填滿所述IDT金屬層溝壑并溢出；

對溢出的IDT金屬進行減薄，形成嵌入所述LGS層IDT金屬電極；

對LGS層的未嵌入IDT金屬電極的面進行減薄；

對壓電材料為單晶36°YX LiTaO₃或42°YX LiTaO₃的壓電層的基板進行預處理；

將襯底層與經預處理的所述壓電層進行低溫鍵合；以及

將所述壓電層未與所述襯底層鍵合的那面與所述LGS層的嵌有IDT金屬電極的那面進行低溫鍵合。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述LGS層的基板厚度為5μm，所述IDT金屬層溝壑圖形線寬為0.25μm，所述IDT金屬填埋溝深度為200nm，所述電極厚度為200nm。

8.一種TC-SAW諧振器的制造方法，包括：

對壓電材料為單晶36°YX LiTaO₃或42°YX LiTaO₃的壓電層的基板進行預處理；

在經預處理的壓電層的基板上涂覆正性光刻膠；

對所述正性光刻膠進行曝光、顯影后定義出IDT金屬層全埋溝壑圖形；

刻蝕出襯底IDT金屬填埋溝；

去除光刻膠；

沉積IDT金屬層填滿所述IDT金屬層全埋溝壑并溢出；

對溢出的IDT金屬進行減薄，形成嵌入所述壓電層IDT金屬電極；

將歐拉角為(0°，90°，90°)的LGS層的基板與所述壓電層的嵌有IDT金屬電極那面進行低溫鍵合；以及

將所述壓電層的未嵌有IDT金屬電極那面與高聲速材料襯底層進行低溫鍵合。

9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述正性光刻膠2厚度范圍在1μm～2μm，所述IDT金屬層全埋溝壑圖形線寬為250nm，所述IDT金屬填埋溝深度為200nm，所述電極厚度為200nm。

10.如權利要求8所述的方法，其特征在于，沉積IDT金屬層的總厚度范圍300～500nm。