[發明專利]一種T形柵極金屬下部柵極溝道開口的自對準方法及器件

在審

• 申請號: 202011500532.3
• 申請日: 2020-12-18
• 公開（公告）號: CN112614777A
• 公開（公告）日: 2021-04-06
• 發明（設計）人: 李亦衡;黃克強;劉曉鵬;沈峰;王強;朱廷剛
• 申請（專利權）人: 江蘇能華微電子科技發展有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L29/423;G03F7/42;G03F7/20
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 王樺

1.一種T形柵極金屬下部柵極溝道開口的自對準方法，其特征在于：包括以下步驟：

步驟1：

（1）、成型導體/半導體層，

（2）、沉積電介質層，

步驟2：

（1）、使用雙層光刻膠：在電介質層上形成第一光刻膠層，在第一光刻膠層上形成第二光刻膠層，其中：第一光刻膠層的光敏性高于第二光刻膠層，

（2）、通過光刻在第一光刻膠層、第二光刻膠層上形成圖案，并蝕刻掉該部分的電介質，并且第一光刻膠層蝕刻的開口寬度大于第二光刻膠層蝕刻的開口寬度，第二光刻膠層的開口向兩側傾斜，

步驟3：調整第二光刻膠層的厚度、開口形狀，使第二光刻膠層的開口向中間傾斜，

步驟4：沉積金屬導體，金屬導體向兩側傾斜覆蓋部分電介質層，且覆蓋兩側電介質層的寬度相等，

步驟5：剝離第一光刻膠層、第二光刻膠層以及位于第二光刻膠層上的金屬導體。

2.根據權利要求1所述的T形柵極金屬下部柵極溝道開口的自對準方法，其特征在于：在步驟2中：通過控制曝光條件，調節第一光刻膠層、第二光刻膠層蝕刻的開口寬度、開口形狀。

3.根據權利要求1所述的T形柵極金屬下部柵極溝道開口的自對準方法，其特征在于：在步驟2中：采用干法蝕刻。

4.根據權利要求1所述的T形柵極金屬下部柵極溝道開口的自對準方法，其特征在于：在步驟3中：通過等離子體處理對第二光刻膠層進行調整。

5.根據權利要求4所述的T形柵極金屬下部柵極溝道開口的自對準方法，其特征在于：該等離子體包括O₂、He、Ar、N₂中的一種或組合。

6.根據權利要求1所述的T形柵極金屬下部柵極溝道開口的自對準方法，其特征在于：在步驟4中，通過電子束或濺射方式沉積金屬導體。

7.根據權利要求1所述的T形柵極金屬下部柵極溝道開口的自對準方法，其特征在于：在步驟5中，采用Liftoff工藝對第一光刻膠層、第二光刻膠層進行剝離。

8.根據權利要求1所述的T形柵極金屬下部柵極溝道開口的自對準方法，其特征在于：所述的半導體層采用硅晶片。

9.根據權利要求1所述的T形柵極金屬下部柵極溝道開口的自對準方法，其特征在于：所述的電介質層采用SiO₂或SiN。

10.一種器件，其特征在于：其包括權利要求1至9中任意一項權利要求所述的方法形成的柵極結構。