[發明專利]芯片校準方法、裝置、存儲介質和芯片

在審

• 申請號: 202011498952.2
• 申請日: 2020-12-17
• 公開（公告）號: CN112634976A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發明（設計）人: 龔正輝;鄭云龍
• 申請（專利權）人: 蘇州兆方微電子科技有限公司
• 主分類號: G11C29/38
• 分類號: G11C29/38;G11C29/08
• 代理公司: 無錫派爾特知識產權代理事務所(普通合伙) 32340
• 代理人: 楊立秋

本申請公開了一種芯片校準方法、裝置、存儲介質和芯片，涉及集成電路技術領域，所述方法包括：在接收到芯片校準指令之后，讀取存儲單元中的存儲數據；根據讀取到的存儲數據檢測是否需要校驗編程；若需要進行校驗編程，則對所述存儲單元進行校驗編程。有效避免了芯片受到輻射時數據讀取可能會有誤的問題，達到了可以提高數據保持能力，增強系統穩定性的效果。

技術領域

本發明涉及芯片校準方法、裝置、存儲介質和芯片，屬于集成電路技術領域。

背景技術

NOR 閃存（NOR Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息）的存儲器，數據刪除不是以單個的字節為單位而是以固定的區塊為單位。由于其斷電時仍能保存數據，閃存通常被用來保存設置信息，如在電腦的BIOS（基本輸入輸出程序）、PDA（個人數字助理）、數碼相機中保存資料等。

在宇航等輻射條件較強烈的環境中，NOR 閃存存儲單元存儲的電荷會因輻射效應的積累而逐漸丟失。如果電荷丟失到引起數據讀出錯誤，則會對電子系統造成致命影響。

發明內容

本發明的目的在于提供一種芯片校準方法、裝置、存儲介質和芯片，用于解決現有技術中存在的問題。

為達到上述目的，本發明提供如下技術方案：

根據第一方面，本發明實施例提供了一種芯片校準方法，所述方法包括：

在接收到芯片校準指令之后，讀取存儲單元中的存儲數據；

根據讀取到的存儲數據檢測是否需要校驗編程；

若需要進行校驗編程，則對所述存儲單元進行校驗編程。

可選的，所述讀取存儲單元中的存儲數據，包括：

通過兩路靈敏放大器讀取所述存儲單元中的所述存儲數據，所述兩路靈敏放大器采用不同參考電壓進行驅動。

可選的，所述根據讀取到的存儲數據檢測是否需要校驗編程，包括：

將所述兩路靈敏放大器的讀取結果進行異或；

在異或結果為0時，則無需進行校驗編程；

在異或結果為1時，則需要進行校驗編程。

可選的，所述方法還包括：

若不需要進行校驗編程，則將存儲單元地址+1，并再次執行所述讀取存儲單元中的存儲數據的步驟。

可選的，所述方法還包括：

在將存儲單元地址+1之后，檢測存儲單元是否結束；

若存儲單元的地址未結束，則再次執行所述讀取存儲單元中的存儲數據的步驟。

可選的，若存儲單元的地址結束，則流程結束。

第二方面，提供了一種芯片，所述芯片包括：處理器、兩路靈敏放大器以及為每路靈敏放大器提供參考電壓的參考電壓源；其中，每個參考電壓源所提供的參考電壓不同，所述處理器用于根據所述兩路靈敏放大器的輸出結果執行如第一方面所述的方法。

第三方面，提供了一種計算機存儲介質，所述存儲介質中存儲有至少一條程序指令，所述至少一條程序指令被處理器加載并執行以實現如第一方面所述的方法。

第四方面，提供了一種芯片校準裝置，所述裝置包括存儲器和處理器，所述存儲器中存儲有至少一條程序指令，所述處理器通過加載所述至少一條程序指令以實現如第一方面所述的方法。

通過在接收到芯片校準指令之后，讀取存儲單元中的存儲數據；根據讀取到的存儲數據檢測是否需要校驗編程；若需要進行校驗編程，則對所述存儲單元進行校驗編程。有效避免了芯片受到輻射時數據讀取可能會有誤的問題，達到了可以提高數據保持能力，增強系統穩定性的效果。