[發明專利]混合物、發光器件及顯示裝置

有效

• 申請號: 202011498890.5
• 申請日: 2020-12-16
• 公開（公告）號: CN112635682B
• 公開（公告）日: 2023-06-06
• 發明（設計）人: 眭俊
• 申請（專利權）人: 廣東聚華印刷顯示技術有限公司
• 主分類號: H10K85/00
• 分類號: H10K85/00;H10K50/10;H10K50/11;H10K50/16
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 宋朝政

本發明公開一種混合物、發光器件及顯示裝置，所述混合物包括絕緣物和金屬螯合物，所述混合物的電子遷移率介于所述絕緣物的電子遷移率和所述金屬螯合物的電子遷移率之間。通過絕緣物和金屬螯合物的協同作用，相互補充，既能抑制電子傳輸層對發光層中的激子猝滅，又能實現器件的載流子電平衡，從而提高了發光器件的性能。

技術領域

本發明涉及顯示裝置技術領域，特別涉及電致發光器件技術領域，具體涉及一種混合物、發光器件及顯示裝置。

背景技術

發光器件應用廣泛，以量子點發光二極管(QLED)為例，其具有出射光顏色飽和，波長可調的優點，而且光致、電致發光量子產率高，被廣泛應用于顯示領域。

量子點發光二極管中存在相鄰的量子點發光層(QD)和電子傳輸層(ETL)，而量子點發光層與電子傳輸層的界面會成為量子點發光層中激子淬滅的缺陷位置(trap)，這種激子的淬滅是非輻射發光的主要存在形式，而這種非輻射發光會大大降低器件的性能。

發明內容

本發明的主要目的是提出一種混合物、發光器件及顯示裝置，旨在提供一種用于形成發光器件的一功能層的混合物，該混合物能夠抑制電子傳輸層對發光層中的激子猝滅，實現器件的載流子平衡。

為實現上述目的，本發明提出一種混合物，所述混合物包括絕緣物和金屬螯合物，所述混合物的電子遷移率介于所述絕緣物的電子遷移率和所述金屬螯合物的電子遷移率之間。

所述絕緣物的電子遷移率小于9E-7cm²v^-1s^-1，所述金屬螯合物的電子遷移率為1E-4cm²v^-1s^-1～10E-4cm²v^-1s^-1，所述混合物的電子遷移率為1E-6cm²v^-1s^-1～10E-5cm²v^-1s^-1。

可選地，所述絕緣物包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙氧基乙烯亞胺、聚乙烯亞胺以及三氧化二鋁中的至少一種；和/或，

所述金屬螯合物包括乙酰丙酮鋯、乙酰丙酮鉿中的至少一種。

可選地，所述混合物中，所述絕緣物與所述金屬螯合物的質量之比為1：(0.1～10)。

可選地，所述混合物中，所述絕緣物與所述金屬螯合物的質量之比為1:(0.5～2)。

本發明進一步提出一種發光器件，包括發光層和電子傳輸層，所述發光層和所述電子傳輸層之間設置有功能層，所述功能層的材質包括如上所述的混合物。

可選地，所述功能層的厚度為10～20nm。

可選地，所述發光器件包括量子點發光二極管。

本發明進一步提出一種顯示裝置，所述顯示裝置包括如上所述的發光器件。

本發明提供的技術方案中，混合物中包括絕緣物和金屬螯合物，其中，絕緣物能夠有效抑制電子傳輸層對發光層中的激子猝滅，然而，絕緣物由于是絕緣材料，會阻礙電子的注入，而金屬螯合物具有高透光性，且具有良好的電子傳輸性能，能夠補償絕緣物對于電子注入的阻礙作用，保證器件的性能，金屬螯合物也能夠使電子傳輸層抑制發光層中的激子猝滅；此外，混合物的電子遷移率介于所述絕緣物的電子遷移率和所述金屬螯合物的電子遷移率之間，金屬螯合物的電子遷移率大于空穴傳輸層材料的電子遷移率，而絕緣物能夠有效調節金屬螯合物的電子遷移率，使得器件的載流子電平衡。通過絕緣物和金屬螯合物的協同作用，相互補充，既能抑制電子傳輸層對發光層中的激子猝滅，又能實現器件的載流子電平衡，從而提高了發光器件的性能。

附圖說明