[發明專利]電子黑體腔體及二次電子探測裝置

有效

• 申請號: 202011497833.5
• 申請日: 2020-12-17
• 公開（公告）號: CN114644335B
• 公開（公告）日: 2023-07-18
• 發明（設計）人: 張科;陳果;柳鵬;姜開利;范守善
• 申請（專利權）人: 清華大學;鴻富錦精密工業（深圳）有限公司
• 主分類號: C01B32/15
• 分類號: C01B32/15;C01B32/158;G01N23/2251
• 代理公司: 深圳市鼎言知識產權代理有限公司 44311
• 代理人: 陳實順

1.一種二次電子探測裝置，包括一電子黑體腔體以及一二次電子探測元件，所述電子黑體腔體，具有一內表面，一腔室以及一開口，該腔室由所述內表面合圍形成，該開口用于使電子束進入到所述腔室內，所述二次電子探測元件位于所述腔室內，其特征在于，所述內表面設置有多孔碳材料層，該多孔碳材料層僅包括碳材料且由多個碳材料顆粒組成，該多個碳材料顆粒之間存在納米級或微米級的間隙。

2.如權利要求1所述的二次電子探測裝置，其特征在于，所述碳材料顆粒為碳納米管、碳纖維、碳納米線、碳微米球或碳納米球中的一種或多種。

3.如權利要求2所述的二次電子探測裝置，其特征在于，所述多孔碳材料層為碳納米管陣列或者碳納米管網絡結構。

4.如權利要求3所述的二次電子探測裝置，其特征在于，所述碳納米管網絡結構為碳納米管海綿體、碳納米管膜狀結構、碳納米管紙、或者由多個碳納米管線編制或纏繞在一起形成的網絡結構。

5.如權利要求1所述的二次電子探測裝置，其特征在于，所述多孔碳材料層的厚度范圍為200微米到600微米。

6.如權利要求1所述的二次電子探測裝置，其特征在于，所述多孔碳材料層為一超順排碳納米管陣列，該超順排碳納米管陣列的高度為350-600微米。

7.如權利要求1所述的二次電子探測裝置，其特征在于，所述二次電子探測元件包括一二次電子探頭和一測試單元，該測試單元通過一導線與所述二次電子探頭電連接。

8.如權利要求1所述的二次電子探測裝置，其特征在于，將電子黑體腔體內表面的多孔碳材料層定義為第一多孔碳材料層，將第一多孔碳材料層中的碳材料顆粒定義為第一碳材料顆粒；所述二次電子探測元件包括一二次電子探頭，該二次電子探頭包括一第二多孔碳材料層，且該第二多孔碳材料層與第一多孔碳材料層絕緣，該第二多孔碳材料層由多個第二碳材料顆粒組成，該多個第二碳材料顆粒之間存在納米級或微米級的間隙。

9.如權利要求8所述的二次電子探測裝置，其特征在于，所述第二碳材料顆粒為碳納米管、碳纖維、碳納米線、碳微米球或碳納米球中的一種或多種。

10.如權利要求9中所述的二次電子探測裝置，其特征在于，所述第二多孔碳材料層為碳納米管陣列或者碳納米管網絡結構。