[發明專利]轉子結構、電機和轉子加工方法

有效

• 申請號: 202011497456.5
• 申請日: 2020-12-17
• 公開（公告）號: CN112701818B
• 公開（公告）日: 2021-12-24
• 發明（設計）人: 陳彬;肖勇;胡余生;史進飛;李霞;張志東
• 申請（專利權）人: 珠海格力電器股份有限公司
• 主分類號: H02K1/24
• 分類號: H02K1/24;H02K1/28;H02K17/16;H02K15/02
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 譚玲玲

本發明提供了一種轉子結構、電機和轉子加工方法，轉子結構具有至少一對轉子極，各個轉子極上設置有多個磁障層，轉子結構包括：各個磁障層包括狹縫槽，多個磁障層中的至少部分磁障層的狹縫槽的兩端設置有填充槽；其中，各個狹縫槽相對于轉子結構的交軸對稱設置，各個磁障層的填充槽沿轉子結構的直軸的方向布置。本發明的轉子結構解決了現有技術中的自起動同步磁阻電機的起動能力較差的問題。

技術領域

本發明涉及電機領域，具體而言，涉及一種轉子結構、電機和轉子加工方法。

背景技術

自起動同步磁阻電機在同步磁阻電機的基礎上，結合了異步電機的優點，通過轉子導條產生的異步轉矩實現自起動，通過磁阻轉矩實現恒速運行。

與同步磁阻電機相比，自起動同步磁阻電機不需要使用變頻器驅動，電機系統損耗降低，電機效率提升；與異步電機相比，自起動同步磁阻電機可恒速運行且轉子損耗低，電機運行時的效率高；與異步起動永磁同步電機相比，不使用永磁體材料，電機成本低，且不存在永磁體退磁問題。

在現有技術中，自起動同步磁阻電機的填充槽沿轉子圓周均勻間隔或非均勻間隔布置，這會導致電機起動能力差且無法保證電機效率。

發明內容

本發明的主要目的在于提供一種轉子結構、電機和轉子加工方法，以解決現有技術中的自起動同步磁阻電機的起動能力較差的問題。

為了實現上述目的，根據本發明的一個方面，提供了一種轉子結構，轉子結構具有至少一對轉子極，各個轉子極上設置有多個磁障層，轉子結構包括：各個磁障層包括狹縫槽，多個磁障層中的至少部分磁障層的狹縫槽的兩端設置有填充槽；其中，各個狹縫槽相對于轉子結構的交軸對稱設置，各個磁障層的填充槽沿轉子結構的直軸的方向布置。

進一步地，多個磁障層沿轉子結構的交軸的方向布置。

進一步地，多個磁障層包括沿轉子結構的交軸依次布置的第一磁障層和多個第二磁障層，第一磁障層位于多個第二磁障層靠近轉子極的外邊緣的一側；其中，各個第二磁障層包括第一狹縫槽和設置在第一狹縫槽兩端的第一填充槽；第一磁障層由第二狹縫槽構成；或者第一磁障層包括第二狹縫槽和設置在第二狹縫槽兩端的第二填充槽。

進一步地，在同一個轉子沖片上，多個磁障層的填充槽在轉子沖片的端面上的總面積為轉子沖片的轉子槽總面積的30％至70％；其中，轉子槽總面積為轉子沖片的端面上的多個磁障層的填充槽和狹縫槽的總面積。

進一步地，多個磁障層沿轉子結構的交軸的方向布置；沿轉子結構的交軸并沿靠近直軸的方向，各個磁障層的填充槽在轉子極的端面上的面積占相應的磁障層的總面積的百分比逐漸變大；其中，各個磁障層的總面積為相應的磁障層的狹縫槽和填充槽在轉子極的端面上的面積之和。

進一步地，多個磁障層沿轉子結構的交軸的方向布置；多個磁障層中的靠近轉子結構的直軸的磁障層的填充槽在轉子極的端面上的面積占該磁障層的總面積的百分比大于或等于 45％；其中，磁障層的總面積為磁障層的狹縫槽和填充槽在轉子極的端面上的面積之和。

進一步地，多個磁障層沿轉子結構的交軸的方向布置；沿轉子結構的交軸并沿靠近直軸的方向，各個磁障層的填充槽的深度L4逐漸變大；其中，各個填充槽的深度L4為填充槽沿直軸方向的長度。

進一步地，多個磁障層沿轉子結構的交軸的方向布置；沿轉子結構的交軸并沿靠近直軸的方向，各個磁障層的填充槽在轉子極的端面上的面積逐漸變大。

進一步地，多個磁障層中的最靠近直軸的填充槽在轉子極的端面上的面積為最遠離直軸的填充槽在轉子極的端面上的面積的至少1.5倍。

進一步地，各個磁障層的填充槽的沿轉子結構的交軸方向的厚度的最大值L5小于或等于該磁障層的狹縫槽的沿轉子結構的交軸方向的寬度的最大值L6。