[發明專利]磁性存儲介質的數據處理方法、系統及裝置

在審

• 申請號: 202011497059.8
• 申請日: 2020-12-17
• 公開（公告）號: CN112581995A
• 公開（公告）日: 2021-03-30
• 發明（設計）人: 王于波;趙東艷;邵瑾;陳燕寧;曹凱華;付振;潘成;劉芳;袁遠東
• 申請（專利權）人: 北京智芯微電子科技有限公司;北京芯可鑒科技有限公司;國網信息通信產業集團有限公司;國網思極紫光（青島）微電子科技有限公司;北京航空航天大學
• 主分類號: G11C11/16
• 分類號: G11C11/16
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 肖冰濱;王曉曉

本發明提供一種磁性存儲介質的數據處理方法、系統及裝置，屬于芯片技術領域。所述方法包括：獲取磁性存儲介質的設定位置處的磁感應強度；在確定所述磁感應強度小于等于配置的磁感應強度閾值時，保持所述磁性存儲介質的工作狀態；在確定所述磁感應強度大于所述磁感應強度閾值時，備份所述磁性存儲介質中的存儲數據至備用存儲介質，其中，所述備用存儲介質的磁場屏蔽值大于所述磁性存儲介質的磁場屏蔽值。本發明可用于智能電表中磁性存儲介質的數據防護。

技術領域

本發明涉及芯片技術領域，具體地涉及一種磁性存儲介質的數據處理方法、一種磁性存儲介質的數據存取方法、一種磁性存儲介質的數據處理系統、一種磁性存儲介質的數據處理裝置、一種電子設備、一種智能電表和一種計算機可讀存儲介質。

背景技術

近年來，芯片產業備受全球關注，逐漸成為衡量一個國家產業競爭力和綜合國力的重要標志性產業，而存儲器是芯片其中一個非常重要的模塊，用來存儲芯片產生的數據。在智能電表中，存儲器主要用來讀寫和存儲智能電表產生的數據，起非常重要的作用。最新型的存儲器采用磁性隨機存取存儲器(Magnetic Random Access Memory，MRAM，通常可以是磁阻式隨機存取存儲器Magnetoresistive Random Access Memory)，MRAM具有非易失性、讀寫速度快、基本上可以無限次地重復寫入、可以與SRAM/DRAM一樣快速隨機讀寫、與快閃存儲器(FlashMemory，可簡稱閃存或Flash)一樣在斷電后永久保留數據等優點，目前已經應用在芯片中用來存儲數據。MRAM是在集成硅電路的磁性材料中進行信息存儲的，周圍的磁場會對芯片產生影響，因此，當外來磁場接近MRAM時會對其數據存儲性能產生一定影響，當外來磁感應強度過高時，甚至會使MRAM失效。而磁場在日常技術中的使用和產生非常普遍，在磁體周圍、運動電荷周圍以及電流周圍空間都存在磁場，比如手機和收音機揚聲器、電氣傳輸線、磁盤驅動器、電機、電視、家用電器以及磁共振成像醫療設備。因此，在日常應用中，MRAM接觸外來磁場是不可避免的。

針對這個問題，可以通常在MRAM內置磁場屏蔽層，用來屏蔽一定強度的外來磁場，以確保其在一定強度的磁場環境下能安全工作。例如，MRAM著名的生產廠家Everspin，其生產的MRAM可承受200Gauss(高斯)的磁感應強度。一般情況下，智能電表的外加金屬防護殼可使電表承受2000Gauss的磁感應強度。當MRAM應用在智能電表中時，整體即可屏蔽2000Gauss的外來磁場，即在低于2000Gauss的磁場環境中MRAM可正常工作，而對于高于這個強度的磁場環境，就需要尋求新的方案，以避免高強度磁場對MRAM造成影響。

發明內容

本發明的目的是提供一種磁性存儲介質的數據處理方法、系統及裝置，避免磁性存儲介質因復雜的磁場環境或環境磁場干擾而導致的存儲數據失效或缺損，進而改善磁性存儲介質的電力環境下可用性和存儲數據完整性。

為了實現上述目的，本發明實施例提供一種磁性存儲介質的數據處理方法，該數據處理方法包括：

獲取磁性存儲介質的設定位置處的磁感應強度；

在確定所述磁感應強度小于等于配置的磁感應強度閾值時，保持所述磁性存儲介質的工作狀態；

在確定所述磁感應強度大于所述磁感應強度閾值時，備份所述磁性存儲介質中的存儲數據至備用存儲介質，其中，所述備用存儲介質的磁場屏蔽值大于所述磁性存儲介質的磁場屏蔽值。

具體的，在所述在確定所述磁感應強度大于所述磁感應強度閾值時，備份所述磁性存儲介質中的存儲數據至備用存儲介質之后，該數據處理方法還包括：

轉換所述磁性存儲介質的工作狀態為斷電保護狀態。

具體的，該數據處理方法還包括：

確定所述磁性存儲介質處于所述斷電保護狀態，再獲取所述磁性存儲介質的設定位置處的磁感應強度；

確定再獲取的磁感應強度小于等于所述磁感應強度閾值；