[發(fā)明專利]提高芯片內(nèi)器件性能均勻性的方法、裝置及電子設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011496931.7
• 申請(qǐng)日: 2020-12-17
• 公開（公告）號(hào): CN112563150B
• 公開（公告）日: 2023-04-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 樊強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 成都海光微電子技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66;G03F7/20
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 鐘揚(yáng)飛

1.一種提高芯片內(nèi)器件性能均勻性的方法，其特征在于，包括：

對(duì)預(yù)設(shè)有多個(gè)性能測(cè)試監(jiān)控單元的目標(biāo)芯片進(jìn)行曝光生產(chǎn)，所述多個(gè)性能測(cè)試監(jiān)控單元與所述目標(biāo)芯片上的多個(gè)關(guān)鍵功能模塊一一對(duì)應(yīng)，所述關(guān)鍵功能模塊中具有關(guān)鍵器件；

針對(duì)所述多個(gè)關(guān)鍵功能模塊中的每個(gè)關(guān)鍵功能模塊，通過與所述關(guān)鍵功能模塊對(duì)應(yīng)的性能測(cè)試監(jiān)控單元獲得所述關(guān)鍵功能模塊的電性參數(shù)，以分別獲得所述多個(gè)關(guān)鍵功能模塊的電性參數(shù)；

根據(jù)所述多個(gè)關(guān)鍵功能模塊的電性參數(shù)，獲得所述目標(biāo)芯片上與所述多個(gè)關(guān)鍵功能模塊對(duì)應(yīng)的多個(gè)目標(biāo)位置的能量補(bǔ)償值；

針對(duì)所述多個(gè)目標(biāo)位置中的每個(gè)目標(biāo)位置，通過與所述目標(biāo)位置對(duì)應(yīng)的能量補(bǔ)償值，對(duì)所述目標(biāo)位置進(jìn)行曝光能量補(bǔ)償，以提高所述目標(biāo)芯片內(nèi)關(guān)鍵器件性能的均勻性。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高芯片內(nèi)器件性能均勻性的方法，其特征在于，所述對(duì)預(yù)設(shè)有多個(gè)性能測(cè)試監(jiān)控單元的目標(biāo)芯片進(jìn)行曝光生產(chǎn)之前，所述提高芯片內(nèi)器件性能均勻性的方法還包括：

確定出所述目標(biāo)芯片上與所述多個(gè)關(guān)鍵功能模塊對(duì)應(yīng)的多個(gè)目標(biāo)位置；

分別在所述多個(gè)目標(biāo)位置設(shè)置所述多個(gè)性能測(cè)試監(jiān)控單元，以使所述多個(gè)性能測(cè)試監(jiān)控單元與所述多個(gè)目標(biāo)位置一一對(duì)應(yīng)，且針對(duì)所述多個(gè)性能測(cè)試監(jiān)控單元中的每個(gè)性能測(cè)試監(jiān)控單元，所述性能測(cè)試監(jiān)控單元能夠應(yīng)用聯(lián)合測(cè)試行為組織協(xié)議，通過晶圓良率測(cè)試方法監(jiān)測(cè)自身的電性指標(biāo)，以表征對(duì)應(yīng)功能關(guān)鍵功能模塊的電性參數(shù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高芯片內(nèi)器件性能均勻性的方法，其特征在于，所述對(duì)預(yù)設(shè)有多個(gè)性能測(cè)試監(jiān)控單元的目標(biāo)芯片進(jìn)行曝光生產(chǎn)，包括：

獲取所述目標(biāo)芯片的原始曝光能量值；

分別通過所述原始曝光能量值，對(duì)所述目標(biāo)芯片上與所述多個(gè)關(guān)鍵功能模塊對(duì)應(yīng)的多個(gè)目標(biāo)位置進(jìn)行曝光，以實(shí)現(xiàn)對(duì)所述目標(biāo)芯片的曝光生產(chǎn)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高芯片內(nèi)器件性能均勻性的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述多個(gè)關(guān)鍵功能模塊的電性參數(shù)，獲得所述目標(biāo)芯片上與所述多個(gè)關(guān)鍵功能模塊對(duì)應(yīng)的多個(gè)目標(biāo)位置的能量補(bǔ)償值，包括：

獲得目標(biāo)電性值；

針對(duì)所述多個(gè)關(guān)鍵功能模塊中的每個(gè)關(guān)鍵功能模塊，獲取所述關(guān)鍵功能模塊的電性參數(shù)與所述目標(biāo)電性值之間的電性差異值，以獲得與所述多個(gè)關(guān)鍵功能模塊一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)電性差異值；

針對(duì)所述多個(gè)關(guān)鍵功能模塊中的每個(gè)關(guān)鍵功能模塊，根據(jù)與所述關(guān)鍵功能模塊對(duì)應(yīng)的電性差異值，獲得所述目標(biāo)芯片上與所述關(guān)鍵功能模塊對(duì)應(yīng)的目標(biāo)位置的能量補(bǔ)償值，以獲得所述目標(biāo)芯片上與所述多個(gè)關(guān)鍵功能模塊對(duì)應(yīng)的多個(gè)目標(biāo)位置的能量補(bǔ)償值。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的提高芯片內(nèi)器件性能均勻性的方法，其特征在于，所述獲得目標(biāo)電性值，包括：

根據(jù)所述目標(biāo)芯片所在待處理晶圓上的所有芯片上，多個(gè)關(guān)鍵功能模塊的電性參數(shù)獲得所述目標(biāo)電性值。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的提高芯片內(nèi)器件性能均勻性的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述目標(biāo)芯片所在待處理晶圓上的所有芯片上，多個(gè)關(guān)鍵功能模塊的電性參數(shù)獲得所述目標(biāo)電性值，包括：

計(jì)算出所述目標(biāo)芯片所在待處理晶圓上的所有目標(biāo)芯片上，位于同一目標(biāo)位置的所有關(guān)鍵功能模塊的電性參數(shù)的均值；

根據(jù)與所述多個(gè)關(guān)鍵功能模塊一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)均值，獲得所述目標(biāo)電性值。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的提高芯片內(nèi)器件性能均勻性的方法，其特征在于，所述根據(jù)與所述多個(gè)關(guān)鍵功能模塊一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)均值，獲得所述目標(biāo)電性值，包括：

從與所述多個(gè)關(guān)鍵功能模塊一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)均值中，獲取中位數(shù)，作為所述目標(biāo)電性值；

或計(jì)算出與所述多個(gè)關(guān)鍵功能模塊一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)均值的平均值，作為所述目標(biāo)電性值。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的提高芯片內(nèi)器件性能均勻性的方法，其特征在于，所述獲取目標(biāo)電性值，包括：

獲取預(yù)設(shè)固定值，以將所述預(yù)設(shè)固定值作為所述目標(biāo)電性值。