[發(fā)明專利]一種金屬表面缺陷檢測方法、系統(tǒng)、裝置和存儲介質(zhì)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011496247.9 | 申請日： | 2020-12-17 |
| 公開（公告）號： | CN112634219A | 公開（公告）日： | 2021-04-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李澄非;潘海欣;蔡嘉倫;邱世漢;梁輝杰;董超俊;馮躍;梁淑芬;鄧輔秦 | 申請（專利權(quán)）人： | 五邑大學(xué) |
| 主分類號： | G06T7/00 | 分類號： | G06T7/00;G06T7/70;G06T5/50;G06N3/04;G06N3/08 |
| 代理公司： | 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44205 | 代理人： | 梁國平 |
| 地址： | 529000 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 金屬表面 缺陷 檢測 方法 系統(tǒng) 裝置 存儲 介質(zhì) | ||
1.一種金屬表面缺陷檢測方法，其特征在于，包括：
采集第一圖像，所述第一圖像為金屬表面拍攝圖；
預(yù)處理所述第一圖像，得到經(jīng)過預(yù)處理金屬表面拍攝圖的第二圖像；
把所述第二圖像輸入到經(jīng)過對抗式網(wǎng)絡(luò)訓(xùn)練后的生成式網(wǎng)絡(luò)，得到無缺陷的第三圖像，所述對抗式網(wǎng)絡(luò)用于訓(xùn)練所述生成式網(wǎng)絡(luò)；
圖像后處理，根據(jù)所述第二圖像和所述第三圖像得到缺陷區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金屬表面缺陷檢測方法，其特征在于，所述預(yù)處理所述第一圖像包括對所述第一圖像進(jìn)行亮度調(diào)整、灰度調(diào)整和圖像裁剪。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金屬表面缺陷檢測方法，其特征在于，所述生成式網(wǎng)絡(luò)包括：
卷積層一，卷積核的大小設(shè)置為4*4，步長為2，卷積核的個(gè)數(shù)為64，邊緣填充一行一列；
卷積層二，卷積核的大小設(shè)置為4*4，步長為2，卷積核的個(gè)數(shù)為64，邊緣填充一行一列；
卷積層三，卷積核的大小設(shè)置為4*4，步長為2，卷積核的個(gè)數(shù)為128，邊緣填充一行一列；
卷積層四，卷積核的大小設(shè)置為4*4，步長為2，卷積核的個(gè)數(shù)為256，邊緣填充一行一列；
卷積層五，卷積核的大小設(shè)置為4*4，步長為2，卷積核的個(gè)數(shù)為512，邊緣填充一行一列；
卷積層六，卷積核的大小設(shè)置為4*4，步長為2，卷積核的個(gè)數(shù)為1024，邊緣填充一行一列；
卷積層七，卷積核的大小設(shè)置為4*4，步長為1，卷積核的個(gè)數(shù)為4000，邊緣無填充；
所述卷積層一、所述卷積層二、所述卷積層三、所述卷積層四、所述卷積層五、所述卷積層六和所述卷積層七依次連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種金屬表面缺陷檢測方法，其特征在于，所述生成式網(wǎng)絡(luò)還包括：
逆卷積層八，卷積核的大小設(shè)置為4*4，步長為1，卷積核的個(gè)數(shù)為1024，邊緣無填充；
逆卷積層九，卷積核的大小設(shè)置為4*4，步長為2，卷積核的個(gè)數(shù)為512，邊緣填充一行一列；
逆卷積層十，卷積核的大小設(shè)置為4*4，步長為2，卷積核的個(gè)數(shù)為256，邊緣填充一行一列；
逆卷積層十一，卷積核的大小設(shè)置為4*4，步長為2，卷積核的個(gè)數(shù)為128，邊緣填充一行一列；
逆卷積層十二，卷積核的大小設(shè)置為4*4，步長為2，卷積核的個(gè)數(shù)為64，邊緣填充一行一列；
逆卷積層十三，卷積核的大小設(shè)置為4*4，步長為2，卷積核的個(gè)數(shù)為64，邊緣填充一行一列；
逆卷積層十四，卷積核的大小設(shè)置為4*4，步長為2，卷積核的個(gè)數(shù)為1，邊緣填充一行一列，所述逆卷積層十四的激活函數(shù)是Tanh函數(shù)；
所述卷積層七和所述逆卷積層八連接，所述逆卷積層八、所述逆卷積層九、所述逆卷積層十、所述逆卷積層十一、所述逆卷積層十二、所述逆卷積層十三和所述逆卷積層十四依次連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金屬表面缺陷檢測方法，其特征在于，所述對抗式網(wǎng)絡(luò)包括：
卷積層十五，卷積核的大小設(shè)置為4*4，步長為2，卷積核的個(gè)數(shù)為64，邊緣填充一行一列；
卷積層十六，卷積核的大小設(shè)置為4*4，步長為2，卷積核的個(gè)數(shù)為64，邊緣填充一行一列；
卷積層十七，卷積核的大小設(shè)置為4*4，步長為2，卷積核的個(gè)數(shù)為128，邊緣填充一行一列；
卷積層十八，卷積核的大小設(shè)置為4*4，步長為2，卷積核的個(gè)數(shù)為256，邊緣填充一行一列；
卷積層十九，卷積核的大小設(shè)置為4*4，步長為2，卷積核的個(gè)數(shù)為512，邊緣填充一行一列；
卷積層二十，卷積核的大小設(shè)置為4*4，步長為2，卷積核的個(gè)數(shù)為1024，邊緣填充一行一列；
卷積層二十一，卷積核的大小設(shè)置為4*4，步長為1，卷積核的個(gè)數(shù)為1，邊緣無填充；
所述卷積層十五、所述卷積層十六、所述卷積層十七、所述卷積層十八、所述卷積層十九、所述卷積層二十、所述卷積層二十一依次連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種金屬表面缺陷檢測方法，其特征在于，所述卷積層二十一的激活函數(shù)是用于輸出表示所述第二圖像和所述第三圖像相似度的Sigmoid函數(shù)。
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