[發(fā)明專利]基于強(qiáng)耦合效應(yīng)的錐臺(tái)載二維共形低散射超寬帶相控陣有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011495549.4 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-17 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112701495B | 公開(公告)日: | 2021-07-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊仕文;張哲晨;屈世偉;陳益凱;胡俊 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 電子科技大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01Q21/06 | 分類號(hào): | H01Q21/06;H01Q9/16;H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q15/00 |
| 代理公司: | 四川省成都市天策商標(biāo)專利事務(wù)所 51213 | 代理人: | 張秀敏 |
| 地址: | 610000 四川省成*** | 國(guó)省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 耦合 效應(yīng) 錐臺(tái)載 二維 共形低 散射 寬帶 相控陣 | ||
1.基于強(qiáng)耦合效應(yīng)的錐臺(tái)載二維共形低散射超寬帶相控陣,它包括:天線的非平衡饋電結(jié)構(gòu)(1);兩個(gè)金屬短路柱(2);具有一定厚度的金屬地板(3);位于所述金屬地板上方用于支撐的介質(zhì)基板(4);印刷在上述支撐介質(zhì)基板上表面的強(qiáng)電容耦合結(jié)構(gòu)的偶極子輻射單元(5),所述兩個(gè)金屬短路柱分別設(shè)置于偶極子輻射單元的左右臂,偶極子輻射單元的左右臂各有一個(gè)金屬短路柱,通過(guò)所述金屬短路柱實(shí)現(xiàn)與金屬地板的電連接;位于支撐介質(zhì)基板上方的第一層寬角阻抗匹配層(6);位于第一層寬角阻抗匹配層上方的阻性印刷介質(zhì)層(7);位于阻性印刷介質(zhì)層上方的第二層寬角阻抗匹配層(8);印刷在阻性印刷介質(zhì)層的雙矩形阻性貼片(9),該阻性貼片的長(zhǎng)邊與偶極子輻射單元相互正交;印刷在第二層寬角阻抗匹配層上表面的長(zhǎng)條金屬貼片(10);印刷在第二層寬角阻抗匹配層上表面的全裂口環(huán)金屬環(huán)(11),所述全裂口環(huán)沿著偶極子輻射單元布陣方向排列;阻性貼片(9)、寬角阻抗匹配層(6)、全裂口環(huán)金屬環(huán)(11)以及介質(zhì)基板(4)構(gòu)成了共形電磁超材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于強(qiáng)耦合效應(yīng)的錐臺(tái)載二維共形低散射超寬帶相控陣,其特征在于:整個(gè)所述相控陣天線與錐臺(tái)載體完全共形,偶極子輻射單元沿著圓周方向的間距隨著錐臺(tái)母線呈線性變化,在偶極子輻射單元上方加載長(zhǎng)條金屬貼片,能有效改善由錐臺(tái)共形環(huán)境引起的相控陣有源駐波惡化。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于強(qiáng)耦合效應(yīng)的錐臺(tái)載二維共形低散射超寬帶相控陣,其特征在于:所述的雙矩形阻性貼片完全共形于載體表面,且其長(zhǎng)度隨著在錐臺(tái)母線方向上的位置呈線性改變,能保證錐臺(tái)載共形相控陣的帶內(nèi)散射特性得到有效縮減。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于強(qiáng)耦合效應(yīng)的錐臺(tái)載二維共形低散射超寬帶相控陣,其特征還在于:在偶極子輻射單元上方采用全裂口環(huán)周期結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)在改善相控陣掃描駐波特性的同時(shí),對(duì)交叉極化入射波保持透射狀態(tài),保證了加載的共形電磁超材料吸收外來(lái)電磁波的能力。
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