[發明專利]一種雙路參數設定霍爾離子源控制系統

在審

• 申請號: 202011495545.6
• 申請日: 2020-12-17
• 公開（公告）號: CN112626483A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發明（設計）人: 趙學正;高軍政;馬文鵬;黨亞軍;任海軍;張國同;陳新;羅鵬
• 申請（專利權）人: 南陽清水科技有限公司
• 主分類號: C23C14/54
• 分類號: C23C14/54;C23C14/32;C23C14/56
• 代理公司: 北京隆達恒晟知識產權代理有限公司 11899
• 代理人: 時移

1.一種雙路參數設定霍爾離子源控制系統，其特征在于，包括：第一氣體源、第二氣體源、真空反應腔、鈍化氣體源、霍爾離子源；第一氣體源通過第一管道與所述真空反應腔相連，第二氣體源通過第二管道與所述真空反應腔相連，所述鈍化氣體源通過鈍化氣體輸送管道與所述真空反應腔相連，所述第一管道、第二管道、鈍化氣體輸送管道上均設置有電磁閥；所述霍爾離子源延伸至所述真空反應腔內部，所述電磁閥、控制器、無線收發器依次相連。

2.如權利要求1所述的雙路參數設定霍爾離子源控制系統，其特征在于，所述系統還包括流量傳感器，所述流量傳感器分別設置于所述第一管道、第二管道、鈍化氣體輸送管道內，所述流量傳感器與所述控制器相連。

3.如權利要求1所述的雙路參數設定霍爾離子源控制系統，其特征在于，所述真空反應腔包括：用于提供真空環境的外腔體，以及位于所述外腔體內的用于進行工藝反應的內反應腔；所述內反應腔的側壁上設有自動門，所述自動門連接所述控制器，工件自所述外腔體經所述自動門進入所述內反應腔。

4.如權利要求3所述的雙路參數設定霍爾離子源控制系統，其特征在于，所述系統還包括溫控裝置，所述溫控裝置設置于所述內反應腔內。

5.如權利要求4所述的雙路參數設定霍爾離子源控制系統，其特征在于，所述溫控裝置包括溫控管，所述溫控管連接位于外腔體外的所述控制器。

6.如權利要求1所述的雙路參數設定霍爾離子源控制系統，其特征在于，所述鈍化氣體源包括氯氣、氟氣中的一種或多種。

7.如權利要求1-6任意一項所述的雙路參數設定霍爾離子源控制系統，其特征在于，所述控制器包括PLC控制器。