[發(fā)明專利]一種基于H型陣列的全介質(zhì)超表面顏色濾波器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011495449.1 | 申請(qǐng)日： | 2020-12-17 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112558209A | 公開（公告）日： | 2021-03-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 肖功利;楊寓婷;楊宏艷;鄧艷容;曾麗珍;李海鷗;李琦;張法碧;傅濤;孫堂友;陳永和;劉興鵬 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 桂林電子科技大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | G02B5/20 | 分類號(hào)： | G02B5/20;G02B5/18 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 541004 廣西*** | 國(guó)省代碼： | 廣西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 陣列 介質(zhì) 表面 顏色 濾波器 | ||
1.一種基于H型陣列的全介質(zhì)超表面顏色濾波器，其特征在于：在襯底2上刻蝕有介質(zhì)納米陣列1；介質(zhì)納米陣列1材料為硅，襯底2為二氧化硅；介質(zhì)納米陣列1單元結(jié)構(gòu)為H型介質(zhì)納米光柵，其由兩個(gè)長(zhǎng)度為L(zhǎng)1，寬度為w，且對(duì)稱平行的介質(zhì)矩形塊，以及一個(gè)垂直于兩個(gè)平行矩形塊正中，長(zhǎng)度為L(zhǎng)2，寬度為w的介質(zhì)矩形塊構(gòu)成；其中介質(zhì)納米陣列1厚度為75nm，x方向周期為px，填充因子為fx＝(w+w+L2)/px＝0.55，y方向周期為py，填充因子為fy＝L1/py＝0.9。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于H型陣列的全介質(zhì)超表面顏色濾波器，其特征在于：在襯底2上刻蝕有介質(zhì)納米陣列1。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于H型陣列的全介質(zhì)超表面顏色濾波器，其特征在于：介質(zhì)納米陣列1材料為硅，襯底2為二氧化硅。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于H型陣列的全介質(zhì)超表面顏色濾波器，其特征在于：介質(zhì)納米陣列1單元結(jié)構(gòu)為H型介質(zhì)納米光柵，其由兩個(gè)長(zhǎng)度為L(zhǎng)1，寬度為w，且對(duì)稱平行的介質(zhì)矩形塊，以及一個(gè)垂直于兩個(gè)平行矩形塊正中，長(zhǎng)度為L(zhǎng)2，寬度為w的介質(zhì)矩形塊構(gòu)成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于H型陣列的全介質(zhì)超表面顏色濾波器，其特征在于：介質(zhì)納米陣列1厚度為75nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于H型陣列的全介質(zhì)超表面顏色濾波器，其特征在于：介質(zhì)納米陣列x方向周期為px，填充因子為fx＝(w+w+L2)/px＝0.55。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于H型陣列的全介質(zhì)超表面顏色濾波器，其特征在于：介質(zhì)納米陣列y方向方向周期為py，填充因子為fy＝L1/py＝0.9。
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