[發明專利]一種銅碳原子級均勻共復合的超細多孔納米硅的合成方法有效
| 申請號： | 202011495143.6 | 申請日： | 2020-12-17 |
| 公開（公告）號： | CN112645308B | 公開（公告）日： | 2022-04-19 |
| 發明（設計）人： | 劉志亮;楊飄萍;李至;趙穎;趙旭東;陳順鵬;賀飛;鄭捷;李星國 | 申請（專利權）人： | 哈爾濱工程大學;北京大學 |
| 主分類號： | C01B32/15 | 分類號： | C01B32/15;C01B33/021;B82Y30/00;B82Y40/00;C22C1/08;B22F9/24 |
| 代理公司： | 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109 | 代理人： | 岳泉清 |
| 地址： | 150001 黑龍江*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 原子 均勻 復合 多孔 納米 合成 方法 | ||
1.一種銅碳原子級均勻共復合的超細多孔納米硅的合成方法，其特征在于它是按以下步驟進行的：
一、將硅化鎂、氯化亞銅、氯化錫、氯化硅及碳基材料加入到球磨罐中，在球磨轉速為200rpm/min~3000rpm/min及球料比為(5~100):1的條件下，球磨60min~3000min，得到球磨后的混合物；
所述的硅化鎂與氯化硅的摩爾比為(1~2):1；所述的氯化亞銅與氯化硅的摩爾比為(1~6):20；所述的氯化錫與氯化硅的摩爾比為(1~6):20；
所述的碳基材料與硅化鎂的質量比(5~60):100；
二、室溫下，將球磨后的混合物浸漬于鹽酸中，浸漬2min~100min，再利用乙醇和水的混合液為洗滌液進行洗滌，然后離心分離及干燥，得到銅碳原子級均勻共復合的超細多孔納米硅；
所述的鹽酸的濃度為1mol/L~12mol/L；所述的銅碳原子級均勻共復合的超細多孔納米硅粒徑為30nm~200nm。
2.根據權利要求1所述的一種銅碳原子級均勻共復合的超細多孔納米硅的合成方法，其特征在于步驟一中所述的碳基材料為乙炔黑或科琴黑；步驟一中所述的碳基材料粒徑為20nm~400nm。
3.根據權利要求1所述的一種銅碳原子級均勻共復合的超細多孔納米硅的合成方法，其特征在于步驟一中所述的碳基材料與硅化鎂的質量比(10~40):100。
4.根據權利要求1所述的一種銅碳原子級均勻共復合的超細多孔納米硅的合成方法，其特征在于步驟一中在球磨轉速為600rpm/min~800rpm/min及球料比為(5~100):1的條件下，球磨240min~600min。
5.根據權利要求1所述的一種銅碳原子級均勻共復合的超細多孔納米硅的合成方法，其特征在于步驟二中所述的乙醇和水的混合液中乙醇與水的體積比為(1~5):1。
6.根據權利要求1所述的一種銅碳原子級均勻共復合的超細多孔納米硅的合成方法，其特征在于步驟二中所述的鹽酸的濃度為3mol/L~5mol/L。
7.根據權利要求1所述的一種銅碳原子級均勻共復合的超細多孔納米硅的合成方法，其特征在于步驟二中所述的離心分離為在轉數為500rpm/min~15000rpm/min的條件下離心。
8.根據權利要求1所述的一種銅碳原子級均勻共復合的超細多孔納米硅的合成方法，其特征在于步驟二中所述的離心分離為在轉數為3000rpm/min~8000rpm/min的條件下離心。
9.根據權利要求1所述的一種銅碳原子級均勻共復合的超細多孔納米硅的合成方法，其特征在于步驟二中所述的干燥為在溫度為25℃~150℃的真空烘箱中，干燥1h~12h。
10.根據權利要求1所述的一種銅碳原子級均勻共復合的超細多孔納米硅的合成方法，其特征在于步驟二中所述的干燥為在溫度為50℃~80℃的真空烘箱中，干燥2h~6h。
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