[發明專利]一種基板刻蝕方法

有效

• 申請號: 202011494499.8
• 申請日: 2020-12-17
• 公開（公告）號: CN112233976B
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發明（設計）人: 于良成;白龍剛;楊國文;趙衛東
• 申請（專利權）人: 度亙激光技術(蘇州)有限公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01L21/308
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 張洋

1.一種基板刻蝕方法，其特征在于，所述方法包括：

在基板的表面設置多層掩模結構，并在所述多層掩模結構上形成沿所述基板和所述多層掩模結構的設置方向投影對應的多個開口，其中，所述基板的表面為高鋁材料層，所述多層掩模結構設置在所述高鋁材料層的表面，所述多層掩模結構最下方與所述基板的表面接觸的材料為不含氧的掩模層、遠離所述基板表面最上方的材料為抗反射掩模層；

對所述基板與多個所述開口對應的局部表面進行第一預處理以去除所述局部表面的雜質；

采用第二氣體在第一功率下對進行過所述第一預處理的所述局部表面進行第一刻蝕，以形成與多個所述開口對應的第一溝槽；

對所述第一溝槽進行第二預處理以去除所述第一溝槽底部的雜質，以防止所述第一預處理后存在未處理完全的雜質或在所述第一刻蝕中產生的高鋁材料的雜質影響進一步的刻蝕；

采用所述第二氣體在第二功率下對進行過所述第二預處理的所述第一溝槽的底部進行第二刻蝕，以形成預設溝槽，其中，所述第一溝槽的深度小于所述預設溝槽的深度，所述第二功率小于所述第一功率，以防止所述第二刻蝕過程中對所述預設溝槽的側壁造成損傷。

2.根據權利要求1所述的基板刻蝕方法，其特征在于，所述在基板的表面設置多層掩模結構，并在所述多層掩模結構上形成沿所述基板和所述多層掩模結構的設置方向投影對應的多個開口包括：

在所述多層掩模結構遠離所述基板的表面設置光阻層；

在所述光阻層上曝光顯影以形成具有第一開口的光阻圖案；

在所述多層掩模結構上形成具有與所述第一開口對應的第二開口的掩模圖案。

3.根據權利要求2所述的基板刻蝕方法，其特征在于，所述對所述基板與多個所述開口對應的局部表面進行第一預處理以去除與所述局部表面的雜質包括：

去除曝光顯影后的所述光阻圖案；

采用第一氣體刻蝕所述基板與所述第二開口對應的所述局部表面。

4.根據權利要求1至3任一項所述的基板刻蝕方法，其特征在于，所述對進行過所述第一預處理的所述局部表面進行刻蝕以形成與多個所述開口對應的預設溝槽之后，所述方法還包括：

去除所述預設溝槽底部和側壁的懸掛鍵；

修復所述預設溝槽的側壁。

5.根據權利要求1所述的基板刻蝕方法，其特征在于，所述多層掩模結構包括設置在所述基板上的所述不含氧的掩模層、氮化硅層和所述抗反射掩模層，其中所述不含氧的掩模層為不定型碳層，所述抗反射掩模層為含硅抗反射層。

6.根據權利要求3所述的基板刻蝕方法，其特征在于，所述第一氣體為六氟化硫等離子體。

7.根據權利要求1所述的基板刻蝕方法，其特征在于，所述第二氣體為氯氣和三氯化硼等離子體的混合物。

8.根據權利要求1所述的基板刻蝕方法，其特征在于，所述第一功率為800~1000W，所述第二功率為600~700W。