[發(fā)明專利]一種混合型高功率單頻激光器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011494276.1 | 申請日: | 2020-12-16 |
| 公開(公告)號: | CN112636184B | 公開(公告)日: | 2022-05-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 高俊;陳新文;毛海岑;王斌;程俊 | 申請(專利權(quán))人: | 華中光電技術(shù)研究所(中國船舶重工集團(tuán)公司第七一七研究所) |
| 主分類號: | H01S5/50 | 分類號: | H01S5/50;H01S3/109 |
| 代理公司: | 武漢藍(lán)寶石專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 42242 | 代理人: | 高蘭 |
| 地址: | 430000 湖北*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 混合 功率 激光器 | ||
1.一種混合型高功率單頻激光器,其特征在于,包括光纖種子源單元、半導(dǎo)體光放大單元、780nm單模保偏光纖;所述光纖種子源單元和半導(dǎo)體光放大單元通過780nm單模保偏光纖連接;所述的混合型單頻激光器通過780nm單模保偏光纖輸出高功率線偏振單頻激光;
所述光纖種子源單元包括:1560nm單頻激光種子源(1)、1560nm光隔離器(2)、1560nm光纖耦合鏡(3)、第一凹面鏡(4)、PPLN倍頻晶體(5),第二凹面鏡(6)、雙色鏡(7)、吸光板(8)、780nm半波片(9)、780nm光纖耦合鏡(10)和用于對倍頻組件進(jìn)行高精度溫控的TEC(11);
其中,1560nm單頻激光種子源(1)與1560nm光隔離器(2)之間、1560nm光隔離器(2)和1560nm光纖耦合鏡(3)之間通過1560nm單模保偏光纖進(jìn)行保偏熔接處理;780nm光纖耦合鏡(10)通過780nm單模保偏光纖與半導(dǎo)體光放大單元連接;
所述1560nm光纖耦合鏡(3)將種子光轉(zhuǎn)化為空間準(zhǔn)直光,第一凹面鏡(4)和第二凹面鏡(6)構(gòu)成共焦腔,所述PPLN倍頻晶體(5)放置于共焦腔中心位置;雙色鏡(7)、780nm半波片(9)、780nm光纖耦合鏡(10)依次設(shè)置在第二凹面鏡(6)的出射光路上,且所述雙色鏡(7)傾斜設(shè)置,用于從光軸中濾除1560nm基頻光和殘余泵浦光,吸光板(8)位于雙色鏡(7)的側(cè)方,用于吸收雙色鏡(7)濾除的1560nm基頻光和殘余泵浦光;
所述第一凹面鏡(4)對1560nm和780nm光均高反;所述第二凹面鏡(6)對1560nm光高反、對780nm光高透;所述雙色鏡(7)對波長小于800nm的光高透,對不小于800nm光高反。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合型高功率單頻激光器,其特征在于,所述雙色鏡(7)與所述半波片(9)之間還設(shè)置有780nm帶通濾波片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合型高功率單頻激光器,其特征在于,所述第一凹面鏡(4)粘接在環(huán)形PZT上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合型高功率單頻激光器,其特征在于,所述半導(dǎo)體光放大單元包括:在同一光路上依次設(shè)置的780nm光隔離器(12)、780nm半導(dǎo)體光放大器SOA(13)、錐形光放大器注入透鏡(14)、注入半波片(15)、半導(dǎo)體錐形光放大器(16)、準(zhǔn)直透鏡(17)、柱面鏡(18)、780nm高功率光隔離器(19)、780nm高損傷閾值半波片(20)、光纖耦合頭(21);
其中,780nm光隔離器(12)通過780nm單模保偏光纖與所述光纖種子源單元連接,780nm光隔離器(12)、780nm半導(dǎo)體光放大器SOA(13)、錐形光放大器注入透鏡(14)之間通過780nm單模保偏光纖連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的混合型高功率單頻激光器,其特征在于,所述半導(dǎo)體光放大單元包括兩個串聯(lián)設(shè)置的780nm半導(dǎo)體光放大器SOA(13)。
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