[發(fā)明專利]芯片的切割方法及芯片的轉(zhuǎn)移方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011493911.4
• 申請日: 2020-12-16
• 公開（公告）號: CN112967928B
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發(fā)明（設計）人: 王濤;張雪梅
• 申請（專利權）人: 重慶康佳光電技術研究院有限公司
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;H01L21/683;H01L33/00
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 王曉玲

1.一種芯片的切割方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供暫存基材，在所述暫存基材的一側(cè)覆蓋緩沖層；

提供表面具有多個芯片的第一基板，將所述芯片與所述緩沖層貼合，至少部分所述緩沖層位于所述芯片與所述暫存基材之間；

順序?qū)λ龅谝换暹M行劃片和裂片，以使位于所述第一基板上相鄰的所述芯片分離，

在將所述芯片與所述緩沖層貼合的步驟之后，部分所述緩沖層填充于相鄰所述芯片之間，在對所述第一基板進行劃片的步驟之后，以及對所述第一基板進行裂片之前，所述切割方法還包括以下步驟：

去除位于相鄰所述芯片之間的所述部分緩沖層。

2.如權利要求1所述的一種芯片的切割方法，其特征在于，所述緩沖層包括光敏材料。

3.如權利要求1所述的一種芯片的切割方法，其特征在于，所述緩沖層包括光刻膠。

4.如權利要求3所述的一種芯片的切割方法，其特征在于，采用光刻工藝去除位于相鄰所述芯片之間的所述部分緩沖層。

5.如權利要求1至4中任一項所述的一種芯片的切割方法，其特征在于，在對所述第一基板進行劃片的步驟中，采用激光隱形切割工藝在所述第一基板中形成改質(zhì)區(qū)域，所述改質(zhì)區(qū)域位于相鄰所述芯片之間。

6.如權利要求5所述的一種芯片的切割方法，其特征在于，位于同一相鄰所述芯片之間的所述改質(zhì)區(qū)域為多個且沿所述第一基板的厚度方向平行設置。

7.一種芯片的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，包括以下步驟：

采用權利要求1至6中任一項所述的一種芯片的切割方法在所述暫存基材上形成多個具有所述芯片的發(fā)光單元；

將所述暫存基材上的所述發(fā)光單元轉(zhuǎn)移至目標基材上。

8.如權利要求7所述的一種芯片的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述緩沖層包括光刻膠，采用光刻工藝去除緩沖層，以將所述芯片轉(zhuǎn)移至所述目標基材上。

9.如權利要求7或8所述的一種芯片的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，在將所述發(fā)光單元轉(zhuǎn)移至所述目標基材上的步驟之后，所述轉(zhuǎn)移方法還包括以下步驟：

對所述目標基材施加拉應力，以增大相鄰所述發(fā)光單元之間的間距。