[發明專利]集成芯片在審

申請號：	202011493046.3	申請日：	2020-12-17
公開（公告）號：	CN112992917A	公開（公告）日：	2021-06-18
發明（設計）人：	賈漢中;楊世海	申請（專利權）人：	臺灣積體電路制造股份有限公司
主分類號：	H01L27/11585	分類號：	H01L27/11585;H01L27/1159;H01L27/11587
代理公司：	隆天知識產權代理有限公司 72003	代理人：	謝強;黃艷
地址：	中國臺***	國省代碼：	臺灣;71
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摘要：
搜索關鍵詞：	集成芯片
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【說明書】：

本公開的各種實施例是針對包含設置于基板中的一對源極/漏極區的集成芯片。柵極介電層覆蓋基板且橫向地在該對源極/漏極區之間與該對源極/漏極區間隔開。鐵電結構覆蓋柵極介電層。鐵電結構包含鐵電層以及網格結構。鐵電層包含橫向地彼此隔開的多個片段，且網格結構橫向地包圍鐵電層的每個片段。

技術領域

本發明實施例涉及一種集成芯片，特別涉及一種包含網格結構的集成芯片。

背景技術

許多現代電子裝置包括非易失性存儲器。非易失性存儲器是能夠在沒有電源的情況下存儲數據的電子存儲器。鐵電隨機存取存儲器(FeRAM)是下一代非易失性存儲器的有希望的候選者。FeRAM具有相對簡單的結構，并且與互補金屬氧化物半導體(CMOS)邏輯制造工藝相容。

發明內容

一實施例涉及一種集成芯片，包括：設置于基板中的一對源極/漏極區、設置于基板上且橫向地位于該對源極/漏極區之間的柵極介電層、以及覆蓋柵極介電層的鐵電結構，其中鐵電結構包括鐵電層以及網格結構，其中鐵電層包括橫向地彼此隔開的多個片段，且其中網格結構橫向地包圍鐵電層的每個片段。

一實施例涉及一種集成芯片，包括：設置于基板上的半導體裝置、覆蓋半導體裝置以及基板的第一層間介電(ILD)結構；以及覆蓋第一ILD結構且電耦接至半導體裝置的極化切換結構，其中極化切換結構包括設置在第一導電結構以及第二導電結構之間的鐵電結構，其中鐵電結構包括鐵電層以及網格結構，其中網格結構橫向地包圍鐵電層的外圍，其中鐵電層包括第一材料且網格結構包括不同于第一材料的第二材料。

一實施例涉及一種形成鐵電存儲裝置的方法，方法包括：于基板上形成介電層；于介電層上沉積網格層，其中網格層包括第一材料；于網格層上形成圖案化遮罩層；根據圖案化遮罩層對網格層進行蝕刻，從而形成網格結構，其中網格結構包括定義多個開口的多個側壁；于基板上形成鐵電層，使得鐵電層填充多個開口，其中鐵電層包括不同于第一材料的第二材料；以及于網格結構上形成上導電結構。

附圖說明

根據以下的詳細說明并配合說明書附圖做完整公開。應注意的是，根據本產業的一般作業，附圖并未必按照比例繪制。事實上，可能任意的放大或縮小元件的尺寸，以做清楚的說明。

圖1以及圖2A-圖2B示出具有鐵電存儲裝置的集成芯片的一些實施例的各種附圖，鐵電存儲裝置具有包含設置于網格結構中的鐵電層的鐵電結構。

圖3-圖4示出圖1的集成芯片的一些替代性實施例的剖面圖。

圖5示出具有鐵電存儲裝置的集成芯片的一些實施例的剖面圖，鐵電存儲裝置具有包含設置于網格結構中的鐵電層。

圖6、圖7、圖8A、圖8B、圖9A、圖9B、圖10A、圖10B、圖11、圖12示出一系列形成具有鐵電存儲裝置的集成芯片的方法的一些實施例的各種附圖，鐵電存儲裝置具有包含設置于網格結構中的鐵電層的鐵電結構。

圖13示出形成包括產線前段鐵電存儲裝置的集成芯片的方法的一些實施例的流程圖，產線前段鐵電存儲裝置具有設置于網格結構中的鐵電層。

圖14示出形成包括產線后段鐵電存儲裝置的集成芯片的方法的一些實施例的流程圖，產線后段鐵電存儲裝置具有設置于網格結構中的鐵電層。

附圖標記說明：

100,300,400,500：集成芯片

102：基板

104：隔離結構