[發(fā)明專利]一種相變材料刻蝕方法及三維堆疊相變存儲器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011492835.5 | 申請日： | 2020-12-17 |
| 公開（公告）號： | CN112599669A | 公開（公告）日： | 2021-04-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 童浩;馮雅昆;繆向水 | 申請（專利權(quán)）人： | 華中科技大學 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 華中科技大學專利中心 42201 | 代理人： | 尹麗媛;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 相變 材料 刻蝕 方法 三維 堆疊 存儲器 | ||
1.一種相變材料刻蝕方法，其特征在于，包括：
由下往上制備依次層疊的相變材料層、硬掩模層和光刻膠層；其中，所述相變材料層附著在基底表面，所述硬掩模層的材料為氮化物或氧化物；
對所述光刻膠層進行光刻得到實際所需圖形，以對硬掩模層進行刻蝕；
確定相變材料刻蝕條件，對表面暴露出的相變材料層進行刻蝕，其中所述硬掩模層的厚度滿足在所述刻蝕條件下能得到實際所需的相變材料刻蝕深寬比。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種相變材料刻蝕方法，其特征在于，所述相變材料層的材料為Ge-Sb-Te系列合金、二元相變材料Sb-Te合金、Ge-Te合金、對每種所述合金摻雜N、O、C、S和/或金屬元素后的材料中的一種或多種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種相變材料刻蝕方法，其特征在于，在對所述硬掩模層進行刻蝕時所采用的刻蝕氣體為：含氟氣體CF4或CHF3，輔助氣體H2或O2。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種相變材料刻蝕方法，其特征在于，在對所述相變材料層進行刻蝕時，所采用的刻蝕氣體為：含氯氣體Cl2，輔助氣體Ar。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種相變材料刻蝕方法，其特征在于，對所述相變材料層的刻蝕條件還包括：
氣體比例為Cl2占總氣體流量的5％～30％；
刻蝕功率為300～1000w；
刻蝕氣壓為4～20mTorr。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項所述的一種相變材料刻蝕方法，其特征在于，所述硬掩模層的材料為Si3N4和/或SiO2。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項所述的一種相變材料刻蝕方法，其特征在于，所述光刻的方法為接觸式光刻或電子束光刻。
8.一種三維堆疊相變存儲器，其特征在于，通過采用如權(quán)利要求1至7任一項所述的一種相變材料刻蝕方法刻蝕相變材料制備得到。
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