[發(fā)明專利]一種基板結(jié)構(gòu)的制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011492293.1 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112490132A | 公開(公告)日: | 2021-03-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 盧建 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海艾為電子技術(shù)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/48 | 分類號(hào): | H01L21/48;H01L21/56;H01L23/49;H01L23/31 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 尹秀 |
| 地址: | 201199 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 板結(jié) 制備 方法 | ||
1.一種基板結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于,包括:
在承載體的第一側(cè)表面固定有源元件;
在所述有源元件背離所述承載體一側(cè)形成多根第一焊線,所述第一焊線的兩個(gè)連接端電連接至承載體和有源元件中任意一個(gè),所述第一焊線的高度高于所述有源元件背離所述承載體一側(cè)表面;
在所述有源元件背離所述承載體一側(cè)形成第一封裝層,所述第一封裝層封裝所述有源元件和所述多根第一焊線;
從所述第一封裝層背離所述承載體一側(cè)去除所述第一封裝層部分厚度和所述第一焊線部分,直至一根所述第一焊線形成兩根獨(dú)立的第二焊線,且去除部分厚度后的第一封裝層裸露所述第二焊線背離所述承載體一側(cè)端面;
在所述第一封裝層背離所述承載體一側(cè)形成多個(gè)第一焊盤,所述多個(gè)第一焊盤與所述多根第二焊線一一對(duì)應(yīng)且電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述第一焊線的兩個(gè)連接端均與所述承載體電連接;或,所述第一焊線的兩個(gè)連接端均與所述有源元件電連接;或,所述第一焊線的一個(gè)連接端與所述承載體電連接,另一個(gè)連接端與所述有源元件電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述有源元件粘貼在所述承載體的第一側(cè)表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,該方法還包括:
在形成所述第一封裝層之前,在所述承載體朝向所述有源元件的一側(cè)形成多根第三焊線,所述第三焊線電連接所述承載體和所述有源元件,所述第三焊線的高度小于所述第一焊線的高度,所述第一封裝層完全包裹所述第三焊線。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述第一封裝層為味之素環(huán)氧樹脂膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述承載體為基板。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述承載體為金屬框架。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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