[發明專利]一種環保綠色半導體電熱膜及其制備方法

在審

• 申請號: 202011492164.2
• 申請日: 2020-12-17
• 公開（公告）號: CN112654105A
• 公開（公告）日: 2021-04-13
• 發明（設計）人: 楊子;銀霞
• 申請（專利權）人: 深圳市熱客派爾熱力科技有限公司
• 主分類號: H05B3/14
• 分類號: H05B3/14;H05B3/20;C23C14/10;C23C14/08;C23C14/24;C23C14/50
• 代理公司: 無錫風創知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32461
• 代理人: 邱國棟

1.一種環保綠色半導體電熱膜，所述環保綠色半導體電熱膜包括：金屬基材、氧化錫銻電熱膜以及介于所述金屬基材和所述氧化錫銻電熱膜之間的二氧化硅介質膜層；其中，所述金屬基材為帶半圓球狀凸起的金屬基材，所述氧化錫銻電熱膜包括位于所述介質層上的氧化錫銻層以及位于所述氧化錫銻層上的氧化錫銻螺旋結構層。

2.根據權利要求1所述的環保綠色半導體電熱膜，其特征在于：所述氧化錫銻螺旋結構層位于氧化錫銻層的半圓球狀凸起上。

3.根據權利要求1所述的環保綠色半導體電熱膜，其特征在于：所述金屬基材選自不銹鋼、鋁、銅、鈦及其合金的任一金屬。

4.根據權利要求1所述的環保綠色半導體電熱膜，其特征在于：所述二氧化硅介質層和所述氧化錫銻層依次均勻地平鋪在所述帶半圓球狀凸起的金屬基材上。

5.根據權利要求1所述的環保綠色半導體電熱膜，其特征在于：所述氧化錫銻螺旋結構層為類三角狀螺旋結構層。

6.根據權利要求1所述的環保綠色半導體電熱膜，其特征在于：所述二氧化硅介質層、所述氧化錫銻層以及所述氧化錫銻螺旋結構層采用真空蒸鍍法制備而成。

7.根據權利要求1所述的環保綠色半導體電熱膜，其特征在于：所述氧化錫銻電熱膜中二氧化錫和三氧化二銻的質量比為1:1至1:1.5。

8.一種如權利要求1-7所述任一項環保綠色半導體電熱膜的制備方法，具體包括如下方法步驟：

(1)金屬基材預處理，將金屬基材進行沖壓成型處理從獲得帶半圓球狀凸起的金屬基材，接著對帶半圓球狀凸起的金屬基材進行超聲清洗以去除表面污物；

(2)沉積二氧化硅介質層，將步驟(1)中的金屬基材放入真空鍍膜機的樣品臺上，以二氧化硅作為蒸鍍源，關閉蒸發鍍膜裝置并抽真空，隨后開啟蒸發鍍膜裝置，在帶半圓球狀凸起的金屬基材表面蒸鍍一層二氧化硅介質層；

(3)沉積氧化錫銻層，以氧化錫銻作為蒸鍍源，蒸鍍角為90°，調節相應地蒸鍍工藝，在步驟(2)中獲得的二氧化硅介質層表面沉積一層氧化錫銻層；

(4)沉積螺旋結構層，旋轉真空鍍膜機的樣品臺，將蒸鍍角設置為10°，在氧化錫銻層的表面繼續沉積氧化錫銻層，沉積時間為T1；之后在平行樣品臺的平面內逆時針旋轉樣品臺120°，二次沉積氧化錫銻層，沉積時間為T2；在平行樣品臺的平面內再次逆時針旋轉樣品臺120°，再次沉積氧化錫銻層，沉積時間為T3，其中，所述T3＞T2＞T1，從而在步驟(3)獲得的氧化錫銻層表面沉積得到類三角狀螺旋結構層。

9.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于：所述步驟(3)和步驟(4)中具體蒸鍍工藝為：對真空鍍膜機進行抽真空，當真空度達到4×10-3Pa以下時，開始充入O2至工作氣壓0.5Pa,以氧化錫銻作為蒸鍍源,蒸鍍電壓2.5kV，電子束流為15mA，基板溫度為450℃，沉積速率控制在