[發明專利]拼接式集成電路管芯

在審

• 申請號: 202011491870.5
• 申請日: 2020-12-17
• 公開（公告）號: CN113130521A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: N·P·考利;A·D·塔爾博特
• 申請（專利權）人: 半導體元件工業有限責任公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L27/02;H04N5/225;H04N5/232;H04N5/262;H04N5/265
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 周陽君

1.一種用于圖案化圖像傳感器管芯的標線組，所述標線組包括：

中心圖塊，所述中心圖塊具有與像素電路相關聯的第一圖案圖像，所述中心圖塊具有沿第一維度的第一長度；和

外圍圖塊，所述外圍圖塊具有與所述像素電路的控制電路相關聯的第二圖案圖像，所述外圍圖塊具有沿所述第一維度的第二長度，其中所述中心圖塊的所述第一長度與所述外圍圖塊的所述第二長度之比為非整數比。

2.根據權利要求1所述的標線組，其中所述中心圖塊具有沿第二維度的第三長度，所述外圍圖塊具有沿所述第二維度的第四長度，其中所述中心圖塊的所述第三長度與所述外圍圖塊的所述第四長度之比為非整數比。

3.根據權利要求1所述的標線組，其中所述中心圖塊和所述外圍圖塊的尺寸基于限定沿所述第一維度的單位長度的相同虛擬單位圖塊來設定。

4.根據權利要求3所述的標線組，其中所述中心圖塊的所述第一長度是所述虛擬單位圖塊的所述單位長度的整數倍，并且其中所述外圍圖塊的所述第二長度是所述虛擬單位圖塊的所述單位長度的整數倍。

5.根據權利要求3所述的標線組，其中所述中心圖塊具有沿第二維度的第三長度，所述外圍圖塊具有沿所述第二維度的第四長度，并且所述虛擬單位圖塊限定沿所述第二維度的附加單位長度，其中所述中心圖塊的所述第三長度是所述虛擬單位圖塊的所述附加單位長度的整數倍，其中所述外圍圖塊的所述第四長度是所述虛擬單位圖塊的所述附加單位長度的整數倍，并且其中所述中心圖塊的所述第三長度與所述外圍圖塊的所述第四長度之比是非整數比。

6.一種加工具有圖像傳感器管芯的晶圓的方法，所述方法包括：

通過使用標線組中的外圍電路圖塊來形成第一外圍電路塊和第二外圍電路塊，其中所述第一外圍電路塊和所述第二外圍電路塊具有沿一定維度的總和為第一長度的相應長度；以及

通過使用所述標線組中的中心像素電路圖塊在所述第一外圍電路塊與所述第二外圍電路塊之間形成像素電路塊，其中所述像素電路塊具有沿所述維度的第二長度，并且其中所述第二長度與所述第一長度之比為非整數比。

7.根據權利要求6所述的方法，其中形成所述第一外圍電路塊和所述第二外圍電路塊以及形成所述像素電路塊包括使用所述標線組來執行步進和重復曝光過程。

8.根據權利要求7所述的方法，其中與所述第一外圍電路塊和所述第二外圍電路塊相關聯的所述第一長度以及與所述像素電路塊相關聯的所述第二長度是與虛擬圖塊相關聯的單位長度的整數倍，其中使用所述標線組來執行所述步進和重復曝光過程包括基于與所述虛擬圖塊相關聯的所述單位長度來步進所述晶圓，其中基于與所述虛擬圖塊相關聯的所述單位長度來步進所述晶圓包括對于所述步進和重復曝光過程中的每個步驟，將所述晶圓步進為與所述虛擬圖塊相關聯的所述單位長度的整數倍的距離。

9.根據權利要求6所述的方法，所述方法還包括：

通過使用所述標線組中的所述中心像素電路圖塊在所述第一外圍電路塊與所述第二外圍電路塊之間形成附加像素電路塊，其中所述像素電路塊具有沿所述維度的所述第二長度，其中形成所述像素電路塊和所述附加像素電路塊包括使用所述中心像素電路圖塊來執行步進和重復曝光過程，其中所述像素電路塊和所述附加像素電路塊形成用于所述圖像傳感器管芯的圖像傳感器像素陣列，并且其中所述第一外圍電路塊和所述第二外圍電路塊形成用于所述圖像傳感器像素陣列的控制電路。

10.一種拼接式集成電路管芯，所述拼接式集成電路管芯包括：

多個電路塊，所述多個電路塊由對應的拼接邊界彼此分開，所述多個電路塊包括：

第一外圍電路塊；

第二外圍電路塊，其中所述第一外圍電路塊和所述第二外圍電路塊具有沿一定維度的總和為第一長度的相應長度；和

中心電路塊，所述中心電路塊位于所述第一外圍電路塊與所述第二外圍電路塊之間，其中所述中心電路塊具有沿所述維度的第二長度，并且其中所述第二長度與所述第一長度之比為非整數比。