[發明專利]一種用于拋光多晶硅的化學機械拋光液在審
| 申請號: | 202011491737.X | 申請日: | 2020-12-17 |
| 公開(公告)號: | CN112608685A | 公開(公告)日: | 2021-04-06 |
| 發明(設計)人: | 張建;馮繼恒;尹淞;魯晨泓 | 申請(專利權)人: | 芯越微電子材料(嘉興)有限公司 |
| 主分類號: | C09G1/02 | 分類號: | C09G1/02 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 314200 浙江省嘉興*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 拋光 多晶 化學 機械拋光 | ||
1.一種用于拋光多晶硅的化學機械拋光液,其特征在于:包括研磨顆粒、水、一種或多種的氧化劑和降低硅片表面粗糙度的非離子表面活性劑;
以重量百分比濃度計,包括研磨顆粒0.1-30%,氧化劑0.1-20%,非離子表面活性劑0.001-5%。
2.根據權利要求1所述的用于拋光多晶硅的化學機械拋光液,其特征在于:以重量百分比濃度計,包括研磨顆粒0.2-30%,氧化劑0.5-10%,非離子表面活性劑0.05-2%。
3.根據權利要求1所述的用于拋光多晶硅的化學機械拋光液,其特征在于:研磨顆粒顆徑為30-150nm。
4.根據權利要求1所述的用于拋光多晶硅的化學機械拋光液,其特征在于:研磨顆粒顆徑為30-120nm。
5.根據權利要求1所述的用于拋光多晶硅的化學機械拋光液,其特征在于:研磨顆粒選自二氧化硅、三氧化二鋁、二氧化硅、二氧化鈦、覆蓋鋁的二氧化硅、摻雜鋁的二氧化硅和高分子研磨顆粒的一種或幾種。
6.根據權利要求1所述的用于拋光多晶硅的化學機械拋光液,其特征在于:氧化劑為含有至少一個過氧基的化合物和含有一個處于最高氧化態的元素的化合物;氧化劑選自過氧化氫及其衍生物、過氧化月尿、過氧甲酸、過氧乙酸、過硫酸鹽、過碳酸鈉、高碘酸及其鹽、高氯酸及其鹽和高硼酸及其鹽中的一種或幾種。
7.根據權利要求1所述的用于拋光多晶硅的化學機械拋光液,其特征在于:非離子表面活性劑選自烷基酚聚氧乙烯醚、聚二甲基硅氧烷、聚氧乙烯、月桂醇醚、脂肪醇聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚、辛基酚聚氧乙烯醚和聚氧丙烯聚氧乙烯嵌段共聚物的一種或幾種。
8.根據權利要求1所述的用于拋光多晶硅的化學機械拋光液,其特征在于:拋光液的pH值為7-12。
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