[發明專利]一種等離子體處理裝置

在審

• 申請號: 202011491408.5
• 申請日: 2020-12-17
• 公開（公告）號: CN112509903A
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發明（設計）人: 邱勇;吳堃;張鵬兵;陳世名
• 申請（專利權）人: 上海諳邦半導體設備有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括：

反應腔主體，所述反應腔主體的頂部設置有等離子體通道板，所述等離子體通道板包括：等離子體通道板主體；環繞所述等離子體通道板主體的側部的通道板定位件；

位于所述通道板定位件和所述反應腔主體的頂壁之間的導電導熱環；

位于所述等離子體通道板主體上方的等離子體發生單元。

2.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述導電導熱環的表面硬度小于所述通道板定位件的硬度。

3.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述導電導熱環的材料為石墨。

4.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述導電導熱環包括導電導熱環主體、位于所述導電導熱環主體頂部的第一膜層、位于導電導熱環主體底部的第二膜層；第一膜層、導電導熱環主體以及第二膜層沿著導電導熱環主體的中心軸排布；所述第一膜層與所述通道板定位件接觸，所述第二膜層與反應腔主體的頂壁接觸；所述導電導熱環主體的硬度大于第一膜層和第二膜層的硬度，第一膜層和第二膜層的硬度小于所述通道板定位件的硬度。

5.根據權利要求4所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述導電導熱環主體的材料為鋁，所述第一膜層和第二膜層的材料為石墨。

6.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述導電導熱環的厚度為0.08毫米~0.15毫米。

7.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述導電導熱環的電阻率小于或等于1×10^-5Ω*m；所述導電導熱環的導熱率大于或等于100W/(m*K)。

8.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述導電導熱環接地。

9.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，還包括：冷卻系統，所述冷卻系統包括：冷源；位于所述反應腔主體的頂壁中的通道，所述通道與所述冷源通過管道連通。

10.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述通道板定位件中具有貫穿所述通道板定位件的若干第一定位孔；所述導電導熱環中具有貫穿所述導電導熱環的若干第二定位孔，第一定位孔和第二定位孔貫通；

所述等離子體處理裝置還包括：緊固件，所述緊固件緊固所述通道板定位件和導電導熱環至所述反應腔主體的頂壁，所述緊固件位于第一定位孔和第二定位孔中。