[發(fā)明專利]一種等離子體處理裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011491408.5
• 申請日: 2020-12-17
• 公開（公告）號(hào): CN112509903A
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邱勇;吳堃;張鵬兵;陳世名
• 申請（專利權(quán)）人: 上海諳邦半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
• 主分類號(hào): H01J37/32
• 分類號(hào): H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括：

反應(yīng)腔主體，所述反應(yīng)腔主體的頂部設(shè)置有等離子體通道板，所述等離子體通道板包括：等離子體通道板主體；環(huán)繞所述等離子體通道板主體的側(cè)部的通道板定位件；

位于所述通道板定位件和所述反應(yīng)腔主體的頂壁之間的導(dǎo)電導(dǎo)熱環(huán)；

位于所述等離子體通道板主體上方的等離子體發(fā)生單元。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述導(dǎo)電導(dǎo)熱環(huán)的表面硬度小于所述通道板定位件的硬度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述導(dǎo)電導(dǎo)熱環(huán)的材料為石墨。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述導(dǎo)電導(dǎo)熱環(huán)包括導(dǎo)電導(dǎo)熱環(huán)主體、位于所述導(dǎo)電導(dǎo)熱環(huán)主體頂部的第一膜層、位于導(dǎo)電導(dǎo)熱環(huán)主體底部的第二膜層；第一膜層、導(dǎo)電導(dǎo)熱環(huán)主體以及第二膜層沿著導(dǎo)電導(dǎo)熱環(huán)主體的中心軸排布；所述第一膜層與所述通道板定位件接觸，所述第二膜層與反應(yīng)腔主體的頂壁接觸；所述導(dǎo)電導(dǎo)熱環(huán)主體的硬度大于第一膜層和第二膜層的硬度，第一膜層和第二膜層的硬度小于所述通道板定位件的硬度。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述導(dǎo)電導(dǎo)熱環(huán)主體的材料為鋁，所述第一膜層和第二膜層的材料為石墨。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述導(dǎo)電導(dǎo)熱環(huán)的厚度為0.08毫米~0.15毫米。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述導(dǎo)電導(dǎo)熱環(huán)的電阻率小于或等于1×10^-5Ω*m；所述導(dǎo)電導(dǎo)熱環(huán)的導(dǎo)熱率大于或等于100W/(m*K)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述導(dǎo)電導(dǎo)熱環(huán)接地。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，還包括：冷卻系統(tǒng)，所述冷卻系統(tǒng)包括：冷源；位于所述反應(yīng)腔主體的頂壁中的通道，所述通道與所述冷源通過管道連通。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述通道板定位件中具有貫穿所述通道板定位件的若干第一定位孔；所述導(dǎo)電導(dǎo)熱環(huán)中具有貫穿所述導(dǎo)電導(dǎo)熱環(huán)的若干第二定位孔，第一定位孔和第二定位孔貫通；

所述等離子體處理裝置還包括：緊固件，所述緊固件緊固所述通道板定位件和導(dǎo)電導(dǎo)熱環(huán)至所述反應(yīng)腔主體的頂壁，所述緊固件位于第一定位孔和第二定位孔中。