[發明專利]像素裝置的負偏置隔離結構

有效

• 申請號: 202011491300.6
• 申請日: 2020-12-17
• 公開（公告）號: CN113013187B
• 公開（公告）日: 2023-06-06
• 發明（設計）人: 渡辺一史;熊志偉;V·瓦乃茲艾;鄭榮友;樸根淑;L·A·格朗
• 申請（專利權）人: 豪威科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 劉媛媛

1.一種圖像傳感器，其包括：

多個像素，其布置成像素陣列的行及列、安置于半導體襯底中，其中個別像素的光電二極管經配置以通過所述半導體襯底的背側接收傳入光，其中所述半導體襯底的前側與所述背側相對；

多個晶體管，其接近于所述半導體襯底的所述前側而安置，且沿著相應像素的所述光電二極管的外周界布置成晶體管行；

多個隔離結構，其經布置以括弧的形式圍繞所述晶體管行；及

多個觸點，其電接觸所述多個隔離結構，其中所述觸點經配置以對所述多個隔離結構進行電壓偏置。

2.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中每一個別隔離結構是C形的。

3.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中每一個別隔離結構包括嵌入到所述襯底中的溝槽隔離結構，及由所述襯底的所述前側承載的上部隔離結構。

4.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中所述多個隔離結構是負電壓偏置的。

5.根據權利要求4所述的圖像傳感器，其中所述多個隔離結構以-1.4V到-1.0V被負電壓偏置。

6.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中所述隔離結構從所述半導體襯底的所述前側延伸到所述半導體襯底中。

7.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中所述隔離結構至少部分地被所述半導體襯底的經摻雜區域環繞。

8.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中所述隔離結構在所述半導體襯底的所述前側處完全由所述半導體襯底承載而不嵌入到所述半導體襯底中。

9.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中所述隔離結構包含所述隔離結構的襯里。

10.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中所述多個晶體管包含選自由行選擇晶體管RS、源極跟隨器晶體管SF及復位晶體管Rst組成的群組的一或多個晶體管。

11.一種用于制造圖像傳感器的方法，其包括：

提供半導體襯底，其中所述半導體襯底具有背側及與所述背側相對的前側；

在所述半導體襯底中形成布置成像素陣列的行及列的多個像素，其中每個像素包含光電二極管；

接近于所述襯底的所述前側而蝕刻出開口；

將導電材料沉積到所述襯底中的所述開口中；

蝕刻所述導電材料以形成經布置以括弧的形式圍繞晶體管行的隔離結構，所述晶體管行沿著相應像素的所述光電二極管的外周界配置；及

形成與對應隔離結構接觸的多個觸點，其中所述多個觸點經配置以對所述隔離結構進行電偏置。

12.根據權利要求11所述的方法，其進一步包括形成多個金屬電極，其中所述金屬電極電連接到對應觸點。

13.根據權利要求11所述的方法，其進一步包括在所述開口中形成溝槽襯里。

14.根據權利要求11所述的方法，其中所述隔離結構是C形的。

15.根據權利要求11所述的方法，其中所述隔離結構是負電壓偏置的。

16.根據權利要求11所述的方法，其進一步包括在所述多個隔離結構之間形成多個晶體管。