[發明專利]一種應用于接觸鈍化電池的鈍化結構及其制備方法

有效

• 申請號: 202011490646.4
• 申請日: 2020-12-16
• 公開（公告）號: CN112670352B
• 公開（公告）日: 2023-08-01
• 發明（設計）人: 趙迎財;馬玉超;廖暉;何勝;徐偉智
• 申請（專利權）人: 正泰新能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18
• 代理公司: 杭州杭誠專利事務所有限公司 33109
• 代理人: 尉偉敏

1.一種應用于接觸鈍化電池的鈍化結構，其特征是，包括N型襯底（1）、設于所述N型襯底（1）正面的兩個正電極（2）和設于所述N型襯底（1）背面的兩個負電極（3），所述N型襯底（1）的背面設有SiO₂層（4），所述SiO₂層（4）上設有摻雜多晶SiO_xN_y層（5），SiO_xN_y層的厚度為120-140nm；

所述N型襯底（1）的背面由內向外依次設有SiO₂層（4）、摻雜多晶SiO_xN_y層（5）及SiN_x層（6）；

所述負電極（3）依次穿過所述SiN_x層（6）與部分厚度的摻雜多晶SiO_xN_y層（5），與摻雜多晶SiO_xN_y層（5）相接觸。

2.根據權利要求1所述的一種應用于接觸鈍化電池的鈍化結構，其特征是，所述N型襯底（1）的正面由內向外依次設有P+層（7）、AlO_x層（8）及SiN_x層（6）。

3.根據權利要求2所述的一種應用于接觸鈍化電池的鈍化結構，其特征是，所述正電極（2）依次穿過SiN_x層（6）、AlO_x層（8），與P+層（7）接觸。

4.一種如權利要求1-3任一所述的應用于接觸鈍化電池的鈍化結構的制備方法，其特征是，包括如下制備步驟：

A、?采用N型單晶硅片，采用槽式雙面制絨；

B、?對正面進行硼擴，控制表面濃度為1E+19-2E+19/cm³；

C、?采用酸去除背面BSG及進行背面刻蝕，然后清洗并保留正面BSG層，背面刻蝕后反射率＞32%；

D、?采用管式氧化，在硅片背面沉積一層1.4-1.6nm厚的SiO₂層，然后在氣流下沉積SiO_xN_y層，同時進行原位摻雜，摻雜后方阻約20~40Ω/sq；

E、?然后將摻雜后的硅片進行正面去繞鍍并在900-920℃環境中退火；

F、?在硅片正面沉積薄層AlO_x，并進行雙面SiN_x層鍍膜；

G、?進行絲網印刷，然后進行光退火，燒結測試，即完成電池片制備。

5.根據權利要求4所述的一種應用于接觸鈍化電池的鈍化結構的制備方法，其特征是，步驟A中槽式雙面制絨的減重重量為0.3-0.35g。

6.根據權利要求4所述的一種應用于接觸鈍化電池的鈍化結構的制備方法，其特征是，步驟C中的酸為HF或HNO₃；背面刻蝕減重為0.2-0.5g。

7.根據權利要求4所述的一種應用于接觸鈍化電池的鈍化結構的制備方法，其特征是，步驟D所述氣流為NH₃、N₂O中的一個和SiH₄的混合氣流，NH₃或N₂O與SiH₄的流量比值為0.2-5。