[發明專利]一種瞬時寬帶四通道微波TR組件

在審

• 申請號: 202011489853.8
• 申請日: 2020-12-16
• 公開（公告）號: CN112630765A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發明（設計）人: 杜小輝;未曉東;楚浩然;辛猛;沈裕峰
• 申請（專利權）人: 南京吉凱微波技術有限公司
• 主分類號: G01S13/02
• 分類號: G01S13/02;G01S7/285;G01S7/282;G01S7/02;H04B1/40
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1.一種瞬時寬帶四通道微波TR組件，包括共腔體結構，其特征在于：所述共腔體結構共設置有四個，且四個共腔體結構均為T/R通道合一的共腔體結構，組成相同，所述共腔體結構包括蓋板、殼體以及通過焊接分別與所述殼體固定的氣密性微矩形電連接器、集合口射頻連接器、分口射頻連接器，還包括與四個獨立的T/R通道分別連接的功分網絡，以及每個T/R通道的由多芯片組件MCM互連的多功能單片微波集成電路MMIC芯片，所述多功能單片微波集成電路MMIC芯片在同一塊ROGERS 4350B多層電路基板上集成有發送與接收共用的六位移相器，六位移相器為真延時移相器、六位衰減器、開關和驅動放大器，以及信號控制器，四個獨立的T/R通道分別提供獨立的幅度和相位控制，電源調制，分別包括發射電源調制器，接收電源調制器，發送與接收共用的微波器件，發射電源調制器，接收電源調制器安裝在同一塊FR4多層電路基板上，所述ROGERS 4350B多層電路基板與FR4多層電路基板堆疊焊接在一起再與所述殼體焊接集成在一起。

2.根據權利要求1所述的一種瞬時寬帶四通道微波TR組件，其特征在于：所述T/R通道設有功率放大器芯片，所述功率放大器芯片與限幅器芯片、低噪聲放大器芯片集成在同一塊熱沉上，所述功率放大器芯片的輸入端與所述多功能MMIC芯片連接，所述功率放大器芯片將發射的微波信號進行高效率的功率飽和放大；所述熱沉將功率放大器產生的熱量及時散掉，保護功率放大器不被熱損毀。

3.根據權利要求1所述的一種瞬時寬帶四通道微波TR組件，其特征在于：所述T/R通道還設有依次連接的限幅器芯片、低噪聲放大器芯片，所述限幅器芯片、低噪聲放大器芯片分別與功率放大器芯片集成在同一塊熱沉上，所述限幅器芯片防止接收的大功率微波信號輸入時燒毀低噪聲放大器芯片，所述低噪聲放大器芯片的輸出端與所述多功能MMIC芯片連接，所述低噪聲放大器芯片將接收的微波信號進行低噪聲放大。

4.根據權利要求1所述的一種瞬時寬帶四通道微波TR組件，其特征在于：所述T/R通道還設有發射電源調制芯片和接收電源調制芯片以及波控芯片，所述發射電源調制芯片和接收電源調制芯片以及波控芯片集成在同一塊FR4多層電路基板上，所述發射電源調制芯片的輸入端和接收電源調制芯片的輸入端分別與所述波控芯片輸出端連接，所述發射電源調制芯片的輸出端與所述功率放大器芯片連接，所述接收電源調制芯片的輸出端低噪聲放大器芯片連接，發射電源調制芯片包括提供所述功率放大器芯片的負基準柵壓、提供所述功率放大器芯片漏極的工作電壓；所述接收電源調制芯片提供所述低噪聲放大器芯片的工作電壓。

5.根據權利要求1所述的一種瞬時寬帶四通道微波TR組件，其特征在于：所述T/R通道的波控芯片，通道一的波控芯片、通道二的波控芯片、通道三的波控芯片、通道四的波控芯片、公共波控芯片依次相連接，通道一的波控芯片的輸入端與所述氣密性微矩形電連接器連接，通道一的波控芯片、通道二的波控芯片、通道三的波控芯片、通道四的波控芯片的輸出端與所述多功能MMIC芯片、發射電源調制芯片和接收電源調制芯片連接，公共波控芯片與發射和接收共用的延時器芯片連接，公共波控芯片的輸出端還與所述氣密性微矩形電連接器連接，所述波控芯片的功能是將串行輸入的數據轉換為并行數據，配置所述多功能MMIC芯片發射、接收、衰減、移相的工作狀態，配置所述延時器芯片的工作狀態，由所述多功能MMIC芯片實現射頻信號的發射、接收、衰減、移相、放大的控制，以及由所述延時器芯片實現公共射頻信號的延時控制，還通過配置所述發射電源調制芯片、接收電源調制芯片進而控制所述功率放大器芯片的工作狀態，以及所述低噪聲放大器芯片的工作狀態。

6.根據權利要求1所述的一種瞬時寬帶四通道微波TR組件，其特征在于：所述T/R通道還設有相互連接的環形器隔離器芯片、通道射頻連接器，所述環形器隔離器芯片的輸入端與所述功率放大器芯片連接，所述環形器隔離器芯片的輸出端與所述限幅器芯片連接以及與所述通道射頻連接器連接，所述通道射頻連接器與天線連接，所述環形器隔離器芯片的功能是完成發射通道和接收通道的微波隔離，同時在發射工作時隔離來自天線的反射信號，在接收工作時隔離來自發射通道的發射信號，所述通道射頻連接器的功能是用于天線和T/R通道之間的射頻信號傳輸。