[發(fā)明專利]一種冷原子激光器頻率穩(wěn)定裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011489241.9 | 申請日: | 2020-12-16 |
| 公開(公告)號: | CN112615247B | 公開(公告)日: | 2022-03-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 周超;毛海岑;欒廣建;宋新明 | 申請(專利權(quán))人: | 華中光電技術(shù)研究所(中國船舶重工集團公司第七一七研究所) |
| 主分類號: | H01S3/137 | 分類號: | H01S3/137;H01S3/00 |
| 代理公司: | 武漢藍寶石專利代理事務所(特殊普通合伙) 42242 | 代理人: | 高蘭 |
| 地址: | 430000 湖北*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 原子 激光器 頻率 穩(wěn)定 裝置 | ||
本發(fā)明涉及一種冷原子激光器頻率穩(wěn)定裝置,激光器的輸出端通過光纖與光纖分束器的輸入端連接;光纖分束器的第一輸出端與第一透鏡的一端連接,第一透鏡的另一端嵌入在原子泡的一端,第二透鏡的一端嵌入在原子泡的另一端,第一透鏡和第二透鏡的光軸重合;第二透鏡的另一端通過光纖與光纖環(huán)路器的第二端口連接,光纖環(huán)路器的第三端口通過光纖與光電探測器連接;光電探測器與信號處理模塊電性連接,信號處理模塊與激光器的反饋控制端口。光纖分束器的第一輸出端通過光纖與光纖光電調(diào)制器的輸入端連接;光纖電光調(diào)制器的輸出端通過光纖與光纖分束器的第一端口連接。本發(fā)明提供的冷原子激光器頻率穩(wěn)定裝置,布置對空間的要求較低,有利于集成化設(shè)計。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及激光器技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種冷原子激光器頻率穩(wěn)定裝置。
背景技術(shù)
冷原子技術(shù)是通過操控原子量子態(tài)變化,實現(xiàn)原子物理特性研究、精密測量的技術(shù),應用在量子通信,原子鐘,原子重力儀,量子計算等多個領(lǐng)域。
在冷原子技術(shù)領(lǐng)域中,需要通過激光與原子作用實現(xiàn)對原子的操控。這要求激光的頻率穩(wěn)定性優(yōu)于原子能級寬度,達到MHz以下。因此需要采用激光穩(wěn)頻裝置,使激光器免于受電流和溫度波動影響。現(xiàn)有的穩(wěn)頻裝置常采用偏振分光鏡、反射鏡、波片等分立光學元件制造而成,各組件對定位精度和姿態(tài)精度要求高、裝配難度大,不利于集成化設(shè)計。并且采用空間光路器件容易受環(huán)境溫濕度變化引起結(jié)露、結(jié)霜污染光路問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的穩(wěn)頻裝置常采用空間光路器件制造而成,各組件對定位精度和姿態(tài)精度要求高、裝配難度大,不利于集成化設(shè)計的技術(shù)問題,提供了一種冷原子激光器頻率穩(wěn)定裝置。
本發(fā)明解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下:
一種冷原子激光器頻率穩(wěn)定裝置,包括:激光器、光纖分束器、第一透鏡、第二透鏡、原子泡、光纖電光調(diào)制器、光纖環(huán)路器、光電探測器及信號處理模塊;
所述激光器的輸出端通過光纖與所述光纖分束器的輸入端連接;所述光纖分束器的第一輸出端與所述第一透鏡的一端連接,所述第一透鏡的另一端嵌入在所述原子泡的一端,所述第二透鏡的一端嵌入在所述原子泡的另一端,所述第一透鏡和第二透鏡的光軸重合;所述第二透鏡的另一端通過光纖與所述光纖環(huán)路器的第二端口連接,所述光纖環(huán)路器的第三端口通過光纖與所述光電探測器連接,從所述第二端口輸入的光束經(jīng)所述第三端口輸出;所述光電探測器與所述信號處理模塊電性連接,所述信號處理模塊與所述激光器的反饋控制端口;
所述光纖分束器的第一輸出端通過光纖與所述光纖光電調(diào)制器的輸入端連接;所述光纖電光調(diào)制器的輸出端通過光纖與所述光纖分束器的第一端口連接,從所述第一端口輸入的光束經(jīng)所述第二端口輸出。
進一步的,還包括:光纖法蘭;
所述激光器通過光纖與所述光纖法蘭的一端連接,所述光纖法蘭的另一端通過光纖與所述光纖分束器的輸入端連接。
進一步的,還包括:加熱器件、測溫器件及溫度控制器件;
所述加熱器件覆蓋在所述原子泡外壁;所述測溫器件設(shè)置在所述加熱器件與所述原子泡外壁之間;所述測溫器件及加熱器件與所述溫度控制器件電性連接。
進一步的,所述加熱器件為雙絞密繞加熱絲或加熱芯片。
進一步的,還包括:磁屏蔽盒;
所述磁屏蔽盒覆蓋在所述原子泡外側(cè)。
進一步的,所述磁屏蔽盒采用坡莫合金制作圓柱形狀殼體。
進一步的,所述激光器為窄線寬激光器、分布反饋激光器或外腔半導體激光器。
進一步的,所述第一透鏡和所述第二透鏡為準直透鏡、G-lens或球透鏡。
進一步的,所述原子泡為石英材料制作的泡體。
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