[發(fā)明專利]一種p型多晶硅鈍化接觸的金屬化電極在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011488705.4 | 申請(qǐng)日： | 2020-12-16 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112635583A | 公開（公告）日： | 2021-04-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 葉繼春;曾俞衡;閆寶杰;智雨燕;鄭晶茗;盧琳娜;廖明墩;劉尊珂;林毅然;馮蒙蒙 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所 |
| 主分類號(hào)： | H01L31/0224 | 分類號(hào)： | H01L31/0224;H01L31/18;H01L31/054 |
| 代理公司： | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 李偉 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 國(guó)省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 多晶 鈍化 接觸 金屬化 電極 | ||
1.一種p型多晶硅鈍化接觸的金屬化電極，其特征在于，包括依次疊加設(shè)置的晶硅襯底、隧穿層、重?fù)蕉嗑Ч鑼印⒌谝唤饘倩瘜雍偷谌饘倩瘜樱龅谝唤饘倩瘜拥慕饘倥c所述多晶硅層功函數(shù)匹配，所述第三金屬化層為Al層或Cu層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬化電極，其特征在于，所述背面電極還包括設(shè)置于所述第一金屬化層和所述第三金屬化層之間的第二金屬化層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的金屬化電極，其特征在于，所述第二金屬化層的厚度為10～200nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的金屬化電極，其特征在于，所述第二金屬化層為Ag層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的金屬化電極，其特征在于，所述隧穿層為SiOx層或氮氧化硅層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的金屬化電極，其特征在于，所述重?fù)蕉嗑Ч鑼訛閾脚鸲嗑Ч鑼踊驌芥壎嗑Ч鑼印?/p>
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的金屬化電極，其特征在于，所述第一金屬化層的金屬選自Ti、Pd、Ni或Cr。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的金屬化電極，其特征在于，所述隧穿層的厚度＜5nm，所述重?fù)蕉嗑Ч鑼拥暮穸葹?0～500nm，所述第一金屬化層的厚度為5～50nm，所述第三金屬化層的厚度為200～2000nm或10000～300000nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的金屬化電極，其特征在于，所述重?fù)蕉嗑Ч鑼又械脑負(fù)诫s濃度為1E17～5E21cm-3。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
