[發明專利]一種射頻功率放大器及提高視頻帶寬的耦合電路

在審

• 申請號: 202011488263.3
• 申請日: 2020-12-16
• 公開（公告）號: CN114640315A
• 公開（公告）日: 2022-06-17
• 發明（設計）人: 孫益平;楊茂清;張立鵬
• 申請（專利權）人: 上海華為技術有限公司
• 主分類號: H03F1/42
• 分類號: H03F1/42;H03F1/56;H03F1/02;H03F1/08;H04N5/14;H04L25/49
• 代理公司: 深圳市深佳知識產權代理事務所(普通合伙) 44285
• 代理人: 陳松浩

1.一種射頻功率放大器，其特征在于，所述射頻功率放大器包括：晶體管、所述晶體管的內匹配電路和耦合電路；

其中，所述晶體管的漏極連接所述內匹配電路的輸入端；所述耦合電路與所述內匹配電路相連；

所述晶體管，用于對接收到的射頻信號進行放大；

所述內匹配電路，用于提高所述晶體管在工作頻段內的輸出阻抗，并對放大后的射頻信號進行輸出；

所述耦合電路，用于降低所述晶體管的工作帶寬所對應的包絡阻抗。

2.根據權利要求1所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述晶體管的內匹配電路包括LCL低通濾波電路，所述LCL低通濾波電路由電容和電感組成。

3.根據權利要求2所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述LCL低通濾波電路包括第一電感、第二電感和第一電容；

其中，所述第一電感的第一端為所述內匹配電路的輸入端，與所述晶體管的漏極相連；所述第一電感的第二端與所述第二電感的第一端相連，所述第二電感的第二端為所述內匹配電路的輸出端；

所述第一電容的第一端與所述第一電感的第二端相連，所述第一電容的第二端接地。

4.根據權利要求3所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述耦合電路的一端與所述第一電感的第二端相連。

5.根據權利要求4所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述耦合電路由電容和電感組成；所述耦合電路用于通過調節電容的電容值和/或電感的電感量來降低所述晶體管的工作帶寬所對應的包絡阻抗。

6.根據權利要求5所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述耦合電路包括第三電感和第二電容；

其中，所述第三電感的第一端連接所述第一電感的第二端；所述第三電感的第二端連接所述第二電容的第一端；所述第二電容的第二端接地。

7.根據權利要求6所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述第二電容為低頻去耦電容。

8.根據權利要求4所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述耦合電路由電阻、電容和電感組成；所述耦合電路用于通過調節電阻的電阻值、電容的電容值和/或電感的電感量來降低所述晶體管的工作帶寬所對應的包絡阻抗。

9.根據權利要求8所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述耦合電路包括第一電阻、第四電感和第三電容；

其中，所述第一電阻的第一端連接所述第一電感的第二端，所述第一電阻的第二端連接所述第四電感的第一端；

所述第四電感的第二端連接所述第三電容的第一端；所述第三電容的第二端接地。

10.根據權利要求9所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述第三電容為低頻去耦電容。

11.根據權利要求1至11任一項所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述射頻功率放大器還包括供電電路，所述供電電路與所述內匹配電路的輸出端相連；

所述供電電路用于為所述射頻功率放大器供電。

12.一種提高視頻帶寬的耦合電路，其特征在于，所述耦合電路與射頻功率放大器中晶體管的內匹配電路相連；

其中，所述晶體管的漏極連接所述內匹配電路的輸入端；所述耦合電路與所述內匹配電路相連；

所述晶體管，用于對所述射頻功率放大器接收到的射頻信號進行放大；

所述內匹配電路，用于提高所述射頻功率放大器在工作頻段內的輸出阻抗，并對放大后的射頻信號進行輸出；

所述耦合電路，用于降低所述射頻功率放大器的工作帶寬所對應的包絡阻抗。

13.根據權利要求12所述的耦合電路，其特征在于，所述耦合電路由電容和電感組成；所述耦合電路用于通過調節電容的電容值和/或電感的電感量來降低所述晶體管的工作帶寬所對應的包絡阻抗。