[發明專利]一種壓電薄膜及其制備方法

在審

• 申請號: 202011488023.3
• 申請日: 2020-12-16
• 公開（公告）號: CN112592502A
• 公開（公告）日: 2021-04-02
• 發明（設計）人: 王英輝;王盛凱
• 申請（專利權）人: 昆山微電子技術研究院
• 主分類號: C08J5/18
• 分類號: C08J5/18;H01L41/193;H01L41/253;H01L41/33;C08L27/16
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王曉坤

1.一種壓電薄膜制備方法，其特征在于，包括：

制備溶解有壓電材料粉體的溶液；

將所述溶液流延至基板的表面，以在所述表面上形成液膜；

將帶有所述液膜的所述基板置于高壓電場環境中進行極化，待所述液膜中的溶劑蒸發完畢，得到壓電薄膜。

2.如權利要求1所述的壓電薄膜制備方法，其特征在于，在所述將所述溶液流延至基板的表面之前，還包括：

去除所述溶液中的氣泡。

3.如權利要求2所述的壓電薄膜制備方法，其特征在于，所述去除所述溶液中的氣泡包括：

對所述溶液進行超聲處理，去除所述溶液中的氣泡；

將超聲處理后的所述溶液置于真空環境中，再次去除所述溶液中的氣泡。

4.如權利要求1所述的壓電薄膜制備方法，其特征在于，所述制備溶解有壓電材料粉體的溶液包括：

將所述壓電材料粉體溶解于溶劑中，得到預制溶液；

攪拌所述預制溶液并向所述預制溶液中加入所述壓電材料粉體，得到所述溶液。

5.如權利要求1所述的壓電薄膜制備方法，其特征在于，壓電材料粉體為下述任一種：

聚偏氟乙烯、三氟乙烯、摻雜有介電材料的聚偏氟乙烯、摻雜有介電材料的三氟乙烯。

6.如權利要求5所述的壓電薄膜制備方法，其特征在于，所述介電材料為下述任一種：

鈦酸鋇、二氧化硅、鋯鈦酸鉛。

7.如權利要求1所述的壓電薄膜制備方法，其特征在于，所述基板為下述任一種：

有機玻璃、普通玻璃、藍寶石。

8.如權利要求1所述的壓電薄膜制備方法，其特征在于，所述溶劑為下述任一種或者任意組合：

N-甲基吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、二甲基亞砜。

9.如權利要求1至8任一項所述的壓電薄膜制備方法，其特征在于，所述基板的所述表面的粗糙度小于1.0微米。

10.一種壓電薄膜，其特征在于，所述壓電薄膜由如權利要求1至9任一項所述的壓電薄膜制備方法制得。