[發明專利]一種降低多壁碳納米管結構缺陷的中子輻照處理方法有效
| 申請號： | 202011487962.6 | 申請日： | 2020-12-16 |
| 公開（公告）號： | CN112456472B | 公開（公告）日： | 2022-06-07 |
| 發明（設計）人： | 王娟;朱浩;劉洋 | 申請（專利權）人： | 西京學院 |
| 主分類號： | C01B32/168 | 分類號： | C01B32/168;C01B32/21 |
| 代理公司： | 北京眾合誠成知識產權代理有限公司 11246 | 代理人： | 趙浩竹 |
| 地址： | 710100 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 降低 多壁碳 納米 結構 缺陷 中子 輻照 處理 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種降低多壁碳納米管結構缺陷的中子輻照處理方法，其特征在于，該方法包含：
采用能量為14MeV的快中子射線，中子通量為1×108，中子輻照多壁碳納米管，以降低多壁碳納米管的結構缺陷；
所述輻照時間為60～120min。
2.根據權利要求1所述的降低多壁碳納米管結構缺陷的中子輻照處理方法，其特征在于，所述中子輻照采用D-T中子管。
3.根據權利要求1所述的降低多壁碳納米管結構缺陷的中子輻照處理方法，其特征在于，所述多壁碳納米管包含：未修飾的多壁碳納米管、羥基修飾的多壁碳納米管、羧基修飾的多壁碳納米管。
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