[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)和其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011487249.1
• 申請日: 2020-12-16
• 公開（公告）號: CN112992816A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 詹雅芳;蔣源峰;呂柏緯
• 申請（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/485;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

1.一種半導(dǎo)體散熱結(jié)構(gòu)，其包括：

第一半導(dǎo)體設(shè)備，所述第一半導(dǎo)體設(shè)備包含第一主動表面和與所述第一主動表面相對的第一背面；

第二半導(dǎo)體設(shè)備，所述第二半導(dǎo)體設(shè)備包含第二主動表面和與所述第二主動表面相對的第二背面；

第一導(dǎo)熱層，所述第一導(dǎo)熱層嵌入所述第一半導(dǎo)體設(shè)備的所述第一背面中；

第二導(dǎo)熱層，所述第二導(dǎo)熱層嵌入所述第二半導(dǎo)體設(shè)備的所述第二背面中；以及

第三導(dǎo)熱層，所述第三導(dǎo)熱層被安置成鄰接所述第一導(dǎo)熱層并且延伸到所述第一半導(dǎo)體設(shè)備的所述第一主動表面，

其中所述第一半導(dǎo)體設(shè)備的所述第一背面和所述第二半導(dǎo)體設(shè)備的所述第二背面彼此接觸，并且其中所述第一導(dǎo)熱層的至少一部分與所述第二導(dǎo)熱層接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體散熱結(jié)構(gòu)，其中所述第三導(dǎo)熱層貫穿所述第一半導(dǎo)體設(shè)備。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體散熱結(jié)構(gòu)，其中所述第三導(dǎo)熱層連接到所述半導(dǎo)體散熱結(jié)構(gòu)外部的散熱設(shè)備。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體散熱結(jié)構(gòu)，其中所述第一半導(dǎo)體設(shè)備的所述第一背面包括第一凹槽，所述第二半導(dǎo)體設(shè)備的所述第二背面包括第二凹槽，所述第一導(dǎo)熱層形成于所述第一凹槽中，并且所述第二導(dǎo)熱層形成于所述第二凹槽中。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體散熱結(jié)構(gòu)，其中所述第一凹槽由所述第一導(dǎo)熱層填充，并且所述第二凹槽由所述第二導(dǎo)熱層填充。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體散熱結(jié)構(gòu)，其中所述第一導(dǎo)熱層與所述第二導(dǎo)熱層一起形成中空導(dǎo)熱管。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體散熱結(jié)構(gòu)，其中所述第一導(dǎo)熱層、所述第二導(dǎo)熱層或兩者具有蛇形形狀。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體散熱結(jié)構(gòu)，其中所述第一導(dǎo)熱層和所述第三導(dǎo)熱層形成為一體。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體散熱結(jié)構(gòu)，其中所述第三導(dǎo)熱層安置在所述第一半導(dǎo)體設(shè)備的外部并且鄰近所述第二半導(dǎo)體設(shè)備的側(cè)面。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體散熱結(jié)構(gòu)，其中所述第三導(dǎo)熱層是中空導(dǎo)熱管。

11.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其包括：

根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體散熱結(jié)構(gòu)；

第一重新分布層RDL，所述第一RDL安置在所述第一半導(dǎo)體設(shè)備的所述第一主動表面之上并且包括貫穿所述第一RDL的熱連接元件；以及

散熱設(shè)備，所述散熱設(shè)備安置在所述第一RDL之上，

其中所述半導(dǎo)體散熱結(jié)構(gòu)的所述第三導(dǎo)熱層通過所述第一RDL的所述熱連接元件連接到所述散熱設(shè)備。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述第一半導(dǎo)體設(shè)備包括導(dǎo)電柱，并且所述導(dǎo)電柱將所述第一半導(dǎo)體設(shè)備電連接到所述第一RDL。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其進(jìn)一步包括第三半導(dǎo)體設(shè)備，所述第三半導(dǎo)體設(shè)備安置在所述第一RDL之上。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中第三半導(dǎo)體設(shè)備安置在所述散熱設(shè)備之下。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其進(jìn)一步包括第二重新分布層RDL，所述第二RDL安置在所述半導(dǎo)體散熱結(jié)構(gòu)之下。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其進(jìn)一步包括包封料，所述包封料包封所述半導(dǎo)體散熱結(jié)構(gòu)。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其進(jìn)一步包括互連元件，所述互連元件貫穿所述包封料并電連接到所述第一RDL和所述第二RDL。