[發明專利]用于平板顯示器中的相移空白掩膜和光掩膜

在審

• 申請號: 202011485574.4
• 申請日: 2020-12-16
• 公開（公告）號: CN113009774A
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發明（設計）人: 金東建;孔鐘奎
• 申請（專利權）人: 思而施技術株式會社
• 主分類號: G03F1/32
• 分類號: G03F1/32
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 孫微;孫進華

1.一種用于平板顯示器(FPD)中的相移空白掩膜，該相移空白掩膜包括：

位于透明襯底上的相移膜，

其中所述相移膜包括：

控制曝光光線的透射率的透射衰減層；以及

控制所述曝光光線的相移量的相移層。

2.根據權利要求1所述的用于FPD中的相移空白掩膜，其中所述透射衰減層由主要包含鉻(Cr)并且包含氮(N)和碳(C)中的一種或多種輕元素的材料制成。

3.根據權利要求2所述的用于FPD中的相移空白掩膜，其中所述透射衰減層的組成比為50原子％至100原子％的鉻(Cr)、0原子％至50原子％的氮(N)和0原子％至50原子％的碳(C)。

4.根據權利要求2所述的用于FPD中的相移空白掩膜，其中所述透射衰減層由進一步包含氟(F)、氫(H)和硼(B)中的一種或多種輕元素的材料制成。

5.根據權利要求1所述的用于FPD中的相移空白掩膜，其中所述透射衰減層的厚度為至

6.根據權利要求5所述的用于FPD中的相移空白掩膜，其中當將所述透射衰減層配置為多層時，各層的厚度為至

7.根據權利要求1所述的用于FPD中的相移空白掩膜，其中所述相移層由主要包含鉻(Cr)并且包含氧(O)、氮(N)和碳(C)中的一種或多種輕元素的材料制成。

8.根據權利要求7所述的用于FPD中的相移空白掩膜，其中所述相移層的組成比為10原子％至60原子％的鉻(Cr)、0原子％至60原子％的氮(N)、0原子％至60原子％的氧(O)和0原子％至40原子％的碳(C)。

9.根據權利要求1所述的用于FPD中的相移空白掩膜，其中所述相移層的厚度為至

10.根據權利要求9所述的用于FPD中的相移空白掩膜，其中當將所述相移層配置為兩層或更多層的多層時，各層的厚度為至

11.根據權利要求1所述的用于FPD中的相移空白掩膜，其中所述透射衰減層包括形成于所述透明襯底上的第一透射衰減層以及形成于所述第一透射衰減層上的第二透射衰減層。

12.根據權利要求11所述的用于FPD中的相移空白掩膜，其中所述第一透射衰減層由主要包含鉻(Cr)并且包含氮(N)和碳(C)中的一種或多種輕元素的材料制成，并且

所述第二透射衰減層由主要包含鉻(Cr)并且包含氧(O)、氮(N)和碳(C)中的一種或多種輕元素的材料制成。

13.根據權利要求12所述的用于FPD中的相移空白掩膜，其中所述第一透射衰減層的組成比為50原子％至100原子％的鉻(Cr)、0原子％至30原子％的氮(N)和0原子％至30原子％的碳(C)，并且

所述第二透射衰減層的組成比為5原子％至50原子％的鉻(Cr)、0原子％至70原子％的氮(N)、0原子％至70原子％的氧(O)和0原子％至50原子％的碳(C)。

14.根據權利要求12所述的用于FPD中的相移空白掩膜，其中所述第一透射衰減層和所述第二透射衰減層中的至少任一者由進一步包含氟(F)、氫(H)和硼(B)中的一種或多種輕元素的材料制成。

15.根據權利要求11所述的用于FPD中的相移空白掩膜，其中所述第一透射衰減層的厚度為至并且所述第二透射衰減層的厚度為至

16.根據權利要求15所述的用于FPD中的相移空白掩膜，其中當將所述第一透射衰減層配置為多層時，各層的厚度為至并且

當將所述第二透射衰減層配置為多層時，各層的厚度為至