[發明專利]硅-旋磁鐵氧體嵌套結構及其制作方法有效
| 申請號： | 202011485464.8 | 申請日： | 2020-12-16 |
| 公開（公告）號： | CN112234330B | 公開（公告）日： | 2021-07-13 |
| 發明（設計）人： | 林亞寧;賴金明;周俊;倪經;陳學平;李林玲;吳燕輝;徐德超 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第九研究所 |
| 主分類號： | H01P1/36 | 分類號： | H01P1/36;H01P1/38;H01P11/00 |
| 代理公司： | 綿陽市博圖知識產權代理事務所(普通合伙) 51235 | 代理人： | 黎仲 |
| 地址： | 621000 四*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 磁鐵 嵌套 結構 及其 制作方法 | ||
1.一種硅-旋磁鐵氧體嵌套結構的制作方法，其特征在于，所述硅-旋磁鐵氧體嵌套結構包括硅腔體和嵌入所述硅腔體內的旋磁鐵氧體，在所述旋磁鐵氧體與硅腔體之間設置有金屬薄膜粘附層，并在所述金屬薄膜粘附層與硅腔體之間設置有氮化硅薄膜層；所述制作方法包括以下步驟：
(1)將嵌套用的加工好的旋磁鐵氧體進行超聲清洗；超聲清洗時，依次使用純水、丙酮和無水乙醇作為清洗溶液；
(2)在旋磁鐵氧體上表面和側面濺射一層金屬薄膜粘附層；
(3)在所述金屬薄膜粘附層上沉積一層氮化硅薄膜層；
(4)將沉積完成后的旋磁鐵氧體和待嵌套的硅腔體進行烘烤處理；
(5)完成硅腔體與旋磁鐵氧體的嵌套。
2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述步驟(2)的濺射方法為磁控濺射。
3.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述步驟(3)的沉積方法包括為電子束蒸發、磁控濺射、CVD或PECVD。
4.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述步驟(4)中烘烤溫度為200-500℃，烘烤時間為0.5-1.5小時，置于箱式爐中烘烤。
5.一種硅-旋磁鐵氧體嵌套結構，包括硅腔體和嵌入所述硅腔體內的旋磁鐵氧體，其特征在于：在所述旋磁鐵氧體與硅腔體之間設置有金屬薄膜粘附層，并在所述金屬薄膜粘附層與硅腔體之間設置有氮化硅薄膜層。
6.根據權利要求5所述的硅-旋磁鐵氧體嵌套結構，其特征在于：所述金屬薄膜粘附層的厚度為10-30nm。
7.根據權利要求5所述的硅-旋磁鐵氧體嵌套結構，其特征在于：所述金屬薄膜粘附層為單質金屬構成。
8.根據權利要求7所述的硅-旋磁鐵氧體嵌套結構，其特征在于：所述單質金屬為鉻、鈦、鎢中的一種。
9.根據權利要求5所述的硅-旋磁鐵氧體嵌套結構，其特征在于：所述氮化硅薄膜層的厚度為100-500nm。
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