[發明專利]一種自極化復合駐極體-壓電薄膜、其制備方法及壓電薄膜傳感器有效
| 申請號： | 202011485108.6 | 申請日： | 2020-12-16 |
| 公開（公告）號： | CN112606509B | 公開（公告）日： | 2023-06-27 |
| 發明（設計）人： | 姚沛林;王盛凱;占敏杰;王英輝 | 申請（專利權）人： | 昆山微電子技術研究院 |
| 主分類號： | B32B27/32 | 分類號： | B32B27/32;B32B27/28;B32B27/08;B32B33/00;B32B37/10;B32B37/06;B32B37/24;B32B38/00;B32B38/16;G01L1/16;G01L9/08 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 極化 復合 駐極體 壓電 薄膜 制備 方法 傳感器 | ||
1.一種自極化復合駐極體-壓電薄膜的制備方法，其特征在于，采用隔絕氧氣加熱—電場誘導相互結合的方法，對聚偏氟乙烯粉體進行處理，提高材料中β相晶體的占比，包括以下步驟：
A)將聚偏氟乙烯的醇溶液涂覆在第一耐高溫襯底的表面，然后去除醇溶劑，得到復合有聚偏氟乙烯膜層的第一耐高溫襯底；
B)在所述聚偏氟乙烯膜層的表面鋪設第二耐高溫襯底，得到三層結構膜層；
所述第一耐高溫襯底為聚酰亞胺、聚四氟乙烯和聚偏氟乙烯中的一種或幾種；所述第二耐高溫襯底為聚酰亞胺、聚四氟乙烯和聚偏氟乙烯中的一種或幾種；
C)對所述三層結構膜層施加1～20MPa的壓力，保持10～40min，并將所述第一耐高溫襯底連接電源的正極或負極，所述第二耐高溫襯底連接電源的負極或正極，施加電場，進行電暈極化，同時在隔絕氧氣的條件下加熱至160～200℃后保持10～40min，得到自極化復合駐極體-壓電薄膜；
所述電場的強度為10～50MV/m；所述加熱的升溫速度為0.5～5℃/s。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述聚偏氟乙烯的醇溶液包括聚偏氟乙烯粉體和醇溶劑；所述聚偏氟乙烯粉體的粒徑為1nm～1μm；聚偏氟乙烯粉體與醇溶劑的質量比為1：(1～3)。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，采用加熱蒸發的方式去除醇溶劑，所述加熱的溫度為40～70℃。
4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述聚偏氟乙烯膜層的厚度為100～500μm。
5.一種自極化復合駐極體-壓電薄膜，按照權利要求1～4任意一項所述的制備方法制得。
6.根據權利要求5所述的自極化復合駐極體-壓電薄膜，其特征在于，所述第一耐高溫襯底的厚度為1～300μm；所述第二耐高溫襯底的厚度為1～300μm。
7.一種壓電薄膜傳感器，包括權利要求5～6任意一項所述的自極化復合駐極體-壓電薄膜。
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