[發(fā)明專利]一種引腳短路檢測(cè)電路及檢測(cè)方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011485100.X | 申請(qǐng)日: | 2020-12-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112630621B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-04-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李偉江 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京集創(chuàng)北方科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01R31/28 | 分類號(hào): | G01R31/28;G01R31/52 |
| 代理公司: | 北京德崇智捷知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11467 | 代理人: | 王金雙 |
| 地址: | 100176 北京市大興*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 引腳 短路 檢測(cè) 電路 方法 | ||
一種引腳短路檢測(cè)電路,包括,控制開(kāi)關(guān)、引腳電位控制電路,所述控制開(kāi)關(guān),其設(shè)置在芯片內(nèi)部模塊與芯片外部引腳之間,控制所述芯片內(nèi)部模塊與芯片外部引腳的斷開(kāi)或連接;所述引腳電位控制電路,其與芯片外部引腳相連接,對(duì)芯片外部引腳的電位進(jìn)行控制。本發(fā)明還提供一種引腳短路檢測(cè)方法,在芯片封裝后的模組生產(chǎn)階段,可快速準(zhǔn)確地篩選出存在引腳短路異常的模組,提高了芯片生產(chǎn)的效率和成品率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種集成電路的檢測(cè)電路及檢測(cè)方法。
背景技術(shù)
在集成電路(芯片、IC)制造生產(chǎn)過(guò)程中,會(huì)出現(xiàn)如功能異常或性能不達(dá)標(biāo)的不合格產(chǎn)品。對(duì)于不合格的產(chǎn)品,需要盡早地篩選出來(lái),篩選越早,生產(chǎn)成本就會(huì)越低,影響越小,如果在終端產(chǎn)品生產(chǎn)時(shí)才發(fā)現(xiàn)集成電路異常,會(huì)導(dǎo)致整個(gè)終端設(shè)備的損壞或廢棄。
現(xiàn)有集成電路制造生產(chǎn)過(guò)程,晶圓(wafer)階段,會(huì)進(jìn)行晶圓測(cè)試(circuitprobing,CP測(cè)試),在晶圓制造完成后,對(duì)晶圓所包含的每一個(gè)裸芯片(die)進(jìn)行電性測(cè)試和/或功能測(cè)試,從而將不符標(biāo)準(zhǔn)或已經(jīng)毀損的裸芯片挑出,使被挑出的裸芯片不用繼續(xù)進(jìn)行后續(xù)的芯片封裝和FT(fuctional?test,功能測(cè)試)測(cè)試,達(dá)到降低成本之目的;在模組階段,會(huì)進(jìn)行封裝后測(cè)試,進(jìn)行芯片的篩選流程(FT卡控)。在CP階段,通??梢詫?duì)芯片所有引腳進(jìn)行測(cè)試,能夠很好地卡控不良產(chǎn)品。而在模組階段,受限于模組形態(tài)或測(cè)試成本,很難對(duì)所有引腳(pin腳)進(jìn)行電壓/電流測(cè)試,通常的篩選策略是讀取芯片狀態(tài)、測(cè)試芯片總電流、卡控芯片輸出數(shù)據(jù)等。
現(xiàn)有的芯片封裝類型較多,如:BGA封裝(球柵網(wǎng)格陣列封裝)、LGA封裝(平面網(wǎng)格陣列封裝)、QFN封裝(方形扁平無(wú)引腳封裝)、COF封裝(卷帶式覆晶薄膜封裝)、COG封裝(芯片被直接綁定在玻璃上)等。在模組制造過(guò)程中,由于封裝、綁定(bonding)等原因會(huì)造成引腳短路,如圖11所示。
對(duì)于對(duì)功能影響較大的引腳短路,可通過(guò)全芯片電流、采集圖像等方式進(jìn)行篩選;但有些引腳短路影響不易直接篩選,比如兩個(gè)引腳輸出電壓相近,短路只一定程度降低性能,不會(huì)影響功能;或者短路的引腳只在特性模式下才會(huì)觸發(fā)不良,而FT量產(chǎn)測(cè)試中基于成本的考慮,無(wú)法包含所有模式。
現(xiàn)有芯片的篩選,通常采用增加卡控性能的方式進(jìn)行篩選,由于閾值很難進(jìn)行把控,往往導(dǎo)致篩選不充分或誤篩,而且測(cè)試時(shí)間長(zhǎng),效率低。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)存在的不足,本發(fā)明的目的在于提供一種引腳檢測(cè)電路及檢測(cè)方法,在芯片內(nèi)部,在每個(gè)需要檢測(cè)外部短路的引腳上,增加一個(gè)檢測(cè)電路,在芯片上電后對(duì)外部的引腳進(jìn)行短路檢測(cè),進(jìn)行封裝后芯片的篩選。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供的一種引腳短路檢測(cè)電路,包括,控制開(kāi)關(guān)、引腳電位控制電路,其中,
所述控制開(kāi)關(guān),其設(shè)置在芯片內(nèi)部模塊與外部引腳之間,控制所述芯片內(nèi)部模塊與外部引腳的斷開(kāi)或連接;
所述引腳電位控制電路,其與芯片引腳相連接,對(duì)芯片引腳的電位進(jìn)行控制。
進(jìn)一步地,所述引腳電位控制電路,還包括,上拉開(kāi)關(guān)和下拉開(kāi)關(guān),其中,
所述上拉開(kāi)關(guān),設(shè)置在電源正極和芯片引腳之間;所述下拉開(kāi)關(guān),設(shè)置在電源負(fù)極和芯片引腳之間。
進(jìn)一步地,所述引腳電位控制電路,還包括,第一與門(mén)、第一反相器、第一晶體管、第二反相器、第二與門(mén),以及第二晶體管,其中,
所述第一與門(mén)的一個(gè)輸入端、所述第二反相器的輸入端連接控制信號(hào);所述第一與門(mén)的另一個(gè)輸入端連接使能信號(hào);
所述第一與門(mén)的輸出端通過(guò)所述第一反相器連接所述第一晶體管的柵極;
所述第一晶體管的源極與電源正極相連接,其漏極與所述第二晶體管的漏極相連接,并連接到芯片引腳;
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- 專利分類
G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試,例如在成批生產(chǎn)中的“過(guò)端—不過(guò)端”測(cè)試;測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過(guò)測(cè)試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
G01R31-08 .探測(cè)電纜、傳輸線或網(wǎng)絡(luò)中的故障
G01R31-12 .測(cè)試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
G01R31-24 .放電管的測(cè)試
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