[發明專利]基于多振膜耦合的壓電微機械超聲換能器有效
| 申請號： | 202011485094.8 | 申請日： | 2020-12-16 |
| 公開（公告）號： | CN112718437B | 公開（公告）日： | 2022-01-14 |
| 發明（設計）人： | 孫成亮;王磊;吳志鵬;朱偉;胡博豪;林炳輝;占惠花 | 申請（專利權）人： | 武漢大學 |
| 主分類號： | B06B1/06 | 分類號： | B06B1/06 |
| 代理公司： | 武漢科皓知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 胡甜甜 |
| 地址： | 430072 湖*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 多振膜 耦合 壓電 微機 超聲 換能器 | ||
1.一種基于多振膜耦合的壓電微機械超聲換能器，其特征在于：包括MEMS壓電微機械超聲換能器和活塞振膜(6)；所述活塞振膜(6)設置于MEMS壓電微機械超聲換能器上并與MEMS壓電微機械超聲換能器上表面接觸連接；
所述活塞振膜(6)包括支撐柱(7)和頂部振膜(8)；
所述MEMS壓電微機械超聲換能器，采用三明治結構或者雙壓電晶片結構：
所述三明治結構的壓電聲換能器包括帶活塞振膜(6)的第一襯底(1.1)、依次沉積在第一襯底(1.1)上的第一底電極(1.2)、第一壓電層(1.3)、第一頂電極(1.4)、第一絕緣層(1.5)以及從第一頂電極(1.4)上引出的第一電極和第二電極，所述活塞振膜(6)設置在第一絕緣層的上表面；
所述雙壓電晶片結構的壓電聲換能器包括帶活塞振膜(6)的第二襯底(2.1)、依次沉積在第二襯底(2.1)上的第二底電極(2.2)、第二壓電層(2.3)、中間電極(2.8)、第三壓電層、第二頂電極(2.4)、第二絕緣層(2.5)以及從第二頂電極(2.4)上引出的第三電極和第四電極，所述活塞振膜(6)設置在第二絕緣層(2.5)的上表面；
所述活塞振膜(6)的材料、大小、數量、形狀以及設置的位置根據MEMS壓電微機械超聲換能器的諧振頻率確定。
2.根據權利要求1所述的基于多振膜耦合的壓電微機械超聲換能器，其特征在于：所述MEMS壓電微機械超聲換能器的形狀為圓形、正方形、矩形、六邊形或多邊形中任一種。
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