[發(fā)明專(zhuān)利]顯示裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011484785.6 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113130556A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-07-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 明在煥 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 樂(lè)金顯示有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L27/32 | 分類(lèi)號(hào): | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 王萍;唐明英 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置,包括:
基板,所述基板包括其中布置有像素的顯示區(qū)域和其中布置有偽圖案的非顯示區(qū)域,所述非顯示區(qū)域圍繞所述顯示區(qū)域;
發(fā)射層,所述發(fā)射層形成在所述像素和所述偽圖案中;以及
堤部,所述堤部圍繞所述發(fā)射層,
其中,在所述非顯示區(qū)域中,所述堤部包括從所述堤部的側(cè)面突出至所述偽圖案中的多個(gè)突出部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述突出部中的每一個(gè)包括:
第一傾斜側(cè)面;以及
第二傾斜側(cè)面,與所述第一傾斜側(cè)面相比,所述第二傾斜側(cè)面被設(shè)置成更遠(yuǎn)離所述顯示區(qū)域;
其中,所述第一傾斜側(cè)面從所述堤部的側(cè)面延伸以與所述堤部的側(cè)面形成鈍角,并且所述第二傾斜側(cè)面從所述堤部的側(cè)面延伸以與所述堤部的側(cè)面形成銳角或直角。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置,其中,所述堤部包括:
具有親水性的第一堤部;以及
第二堤部,所述第二堤部形成在所述第一堤部上,并且設(shè)置有具有疏水性的至少一個(gè)區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置,其中,所述突出部中的每一個(gè)包括:
從所述第一堤部延伸的延伸部分;以及
從所述第二堤部延伸的延伸部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置,其中,所述突出部中的每一個(gè)包括具有親水性的第三堤部,并且
所述第三堤部的厚度形成為大于所述第一堤部的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置,其中,所述突出部的每一個(gè)還包括形成在所述第三堤部上的所述第二堤部。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置,其中,所述第三堤部被形成為覆蓋所述第一堤部的在其上未形成有所述第二堤部的上表面的至少一部分,并且與所述第二堤部的側(cè)面接觸。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置,其中,所述顯示區(qū)域中的所述堤部的厚度被形成為大于所述非顯示區(qū)域中的所述堤部的厚度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置,其中,所述非顯示區(qū)域中的所述第一堤部的厚度被形成為等于或大于所述顯示區(qū)域中的所述第一堤部的厚度。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置,其中,在所述顯示區(qū)域中,所述第一堤部設(shè)置在所述顯示區(qū)域的像素列之間以及所述顯示區(qū)域的像素行之間,以及
在所述顯示區(qū)域中,所述第二堤部設(shè)置在所述像素列之間的所述第一堤部上。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述偽圖案中的每一個(gè)具有從相鄰的像素行或相鄰的像素列延伸的條的形狀。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,對(duì)于每個(gè)像素列,所述發(fā)射層在該像素列以及與該像素列相鄰的偽圖案中一體地形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,中心區(qū)域中的所述發(fā)射層的厚度小于與所述堤部相鄰的邊緣區(qū)域中的所述發(fā)射層的厚度。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,還包括:
針對(duì)所述顯示區(qū)域中的所述像素中的每一個(gè)的陽(yáng)極電極,所述陽(yáng)極電極設(shè)置在所述發(fā)射層下方;以及
陰極電極,所述陰極電極形成在所述發(fā)射層和所述堤部上。
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- 同類(lèi)專(zhuān)利
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





