[發(fā)明專利]具有微機電系統(tǒng)（MEMS）的無帽半導體封裝件

在審

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• 申請日: 2020-12-15
• 公開（公告）號: CN112978672A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發(fā)明（設計）人: J·S·塔利多
• 申請（專利權）人: 意法半導體公司
• 主分類號: B81B7/00
• 分類號: B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 羅利娜

1.一種設備，包括：

基底，包括第一表面、第二表面以及開口，所述第二表面背向所述第一表面，所述開口從所述第一表面延伸穿過所述基底到所述第二表面；

微機電系統(tǒng)MEMS裸片，與所述開口對準，所述MEMS裸片通過腔體與所述基底的所述第二表面隔開，所述MEMS裸片包括：

第三表面，面向所述基底的所述第二表面，所述腔體從所述MEMS裸片的所述第三表面延伸到所述基底的所述第二表面；

多個側壁，橫向于所述第三表面；以及

MEMS元件，與在所述基底中的所述腔體對準；

模塑化合物，覆蓋所述MEMS裸片的所述多個側壁，并且限定所述腔體的側面。

2.根據(jù)權利要求1所述的設備，還包括：

粘合劑，將ASIC裸片耦合到所述基底的所述第二表面；以及

鍵合接線，將所述ASIC裸片耦合到所述MEMS裸片。

3.根據(jù)權利要求1所述的設備，其中：

所述MEMS裸片還包括第四表面，所述第四表面背向所述基底的所述第二表面；以及

所述模塑化合物還包括第五表面，所述第五表面背向所述基底的所述第二表面，所述第五表面與所述第四表面共面。

4.根據(jù)權利要求1所述的設備，還包括粘合劑層和ASIC裸片，其中：

所述MEMS裸片還包括第四表面，所述第四表面背向所述基底的所述第二表面；以及

所述ASIC裸片通過所述粘合劑層耦合到所述MEMS裸片的所述第四表面。

5.根據(jù)權利要求1所述的設備，其中所述MEMS裸片還包括：

多個第一接觸焊盤，在所述MEMS裸片的所述第三表面上；

多個第二接觸焊盤，在所述基底的所述第二表面上；以及

多個焊球，被耦合在所述MEMS裸片上的所述多個第一接觸焊盤與所述基底上的所述多個第二接觸焊盤之間，所述多個焊球被定位在所述腔體內(nèi)，所述多個焊球與所述腔體的所述側面相距一定距離。

6.一種設備，包括：

基底，具有開口，所述開口從所述基底的第一表面延伸穿過所述基底到所述基底的第二表面；

微機電系統(tǒng)MEMS裸片，與所述開口對準，所述MEMS裸片包括傳感器組件以及多個側壁，所述傳感器組件與在所述基底中的所述開口對準，所述多個側壁橫向于所述基底的所述第一表面和所述基底的所述第二表面；

腔體，與所述開口以及所述傳感器組件流體連通并且對準，所述腔體將所述MEMS裸片與所述基底分離，并且所述腔體從所述基底延伸到所述MEMS裸片；以及包封件，圍繞所述MEMS裸片，并且所述包封件包括限定所述腔體的側面的側壁。

7.根據(jù)權利要求6所述的設備，其中所述包封件的所述側壁分別與所述MEMS裸片的所述側壁對準。

8.根據(jù)權利要求6所述的設備，其中所述包封件的側壁各自包括第一部分和第二部分，所述第一部分分別接觸所述MEMS裸片的所述側壁，并且所述第二部分限定所述腔體的所述側面。

9.根據(jù)權利要求8所述的設備，還包括：

粘合劑層；

專用集成電路ASIC裸片，通過所述粘合劑層耦合到所述MEMS裸片的表面；以及

鍵合接線，將所述ASIC裸片電耦合到所述基底。

10.根據(jù)權利要求6所述的設備，還包括：

粘合劑層；

專用集成電路ASIC，通過所述粘合劑層耦合到所述基底；以及

鍵合接線，將所述ASIC電耦合到所述基底。

11.根據(jù)權利要求10所述的設備，還包括：鍵合接線，將所述MEMS裸片耦合到所述ASIC。

12.根據(jù)權利要求6所述的設備，其中所述腔體具有的寬度大于所述開口的寬度，并且所述腔體具有的高度小于所述開口的高度。