[發明專利]半導體裝置以及制造半導體裝置的方法

在審

• 申請號: 202011484117.3
• 申請日: 2020-12-16
• 公開（公告）號: CN113013104A
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發明（設計）人: 花田翔二郎;中村慎吾
• 申請（專利權）人: 安靠科技新加坡控股私人有限公司
• 主分類號: H01L23/04
• 分類號: H01L23/04;H01L23/10;H01L23/16;H01L21/50
• 代理公司: 北京寰華知識產權代理有限公司 11408
• 代理人: 何尤玉;郭仁建

1.一種半導體裝置，包括：

空腔襯底，其包括基底和側壁以界定空腔；

電子組件，其在所述空腔中的所述基底的頂側上；

蓋，其在所述空腔上方和所述側壁上方；以及

閥，其用以提供對所述空腔的接達，其中所述閥具有柱塞以提供空腔環境與所述空腔外部的外部環境之間的密封。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，還包括所述側壁中的密封基底以及所述密封基底與所述蓋之間的密封件。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述空腔環境包括真空。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述空腔環境包括惰性氣體。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述閥通過所述空腔襯底的所述側壁耦合到所述空腔。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述閥在所述空腔襯底的所述側壁與所述蓋之間。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述閥包括所述空腔襯底的所述基底中的孔口。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述閥包括在所述側壁與所述蓋之間在所述空腔襯底的所述側壁中的凹槽。

9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述閥包括在所述蓋與所述空腔襯底的所述側壁之間在所述蓋中的穿孔。

10.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述柱塞包括焊料。

11.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述柱塞包括樹脂。

12.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述閥包括圍壩，且所述柱塞定位于所述圍壩中。

13.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述閥包括分接頭和阻塞所述分接頭的所述柱塞。

14.根據權利要求1所述的半導體裝置，還包括所述基底中的與所述電子組件電耦合的導電結構。

15.一種方法，包括：

提供空腔襯底，所述空腔襯底包括基底和側壁以界定空腔；

在所述空腔中的所述基底的頂側上提供電子組件；

在所述空腔上方提供與所述側壁接觸的蓋；以及

提供閥以提供對所述空腔的接達，其中所述閥具有柱塞以提供空腔環境與所述空腔外部的環境之間的密封。

16.根據權利要求15所述的方法，還包括在將所述柱塞密封于所述閥中之前通過所述閥從所述空腔移除空氣以在所述空腔環境中提供真空，并且接著將所述柱塞密封于所述閥中。

17.根據權利要求15所述的方法，還包括在將所述柱塞密封于所述閥中之前通過所述閥將惰性氣體添加到所述空腔中，并且接著將所述柱塞密封于所述閥中。

18.根據權利要求15所述的方法，還包括使用激光將所述柱塞密封于所述閥中。

19.一種半導體裝置，包括：

襯底，其包括基底和從所述基底豎直延伸的側壁；

蓋，其在所述側壁上方以界定所述基底、所述側壁與所述蓋之間的空腔；

電子組件，其在所述空腔中；

閥，其在所述空腔與所述空腔外部的外部環境之間；

密封件，其在所述蓋與所述側壁之間；以及

柱塞，其在所述閥中，其中所述密封件和所述柱塞將所述空腔氣密地密封以免受所述外部環境的影響。

20.根據權利要求19所述的半導體裝置，其中：

所述閥包含彼此耦合的第一穿孔和第二穿孔；

所述第二穿孔的寬度大于所述第一穿孔的寬度；且

所述柱塞在所述第二穿孔中。