[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202011484111.6
• 申請日: 2020-12-16
• 公開（公告）號: CN112992929A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: 珍·瓊格曼;布萊恩·阿斯匹靈
• 申請（專利權）人: 弗萊克英納寶有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;G02F1/1368
• 代理公司: 北京泰吉知識產權代理有限公司 11355
• 代理人: 史瞳;顧以中

1.一種方法，其特征在于：包括：

在支撐襯底上原位形成：第一金屬層；在所述第一金屬層之后的光吸收層；在所述光吸收層之后的導體圖案；以及在所述導體圖案之后的半導體層；

使用抗蝕劑掩模圖案化所述半導體層以形成半導體圖案，所述半導體圖案限定一個或多個半導體裝置的一個或多個半導體溝道；以及

使用所述抗蝕劑掩模和所述導體圖案圖案化所述光吸收層，以便在由至少一個所述抗蝕劑掩模和所述導體圖案占據的區域中選擇性地保留所述光吸收層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述光吸收層表現出至少約1的白光光學密度(在基本上垂直于所述支撐襯底的平面的方向上)和不大于約10％的白光總反射率。

3.根據權利要求1或權利要求2所述的方法，其特征在于：所述光吸收層包括絕緣體材料，優選地具有大于1MOhm/square的薄膜電阻。

4.根據權利要求1至3中任一權利要求所述的方法，其特征在于：所述光吸收層與所述半導體層分開不大于約500nm的距離(在基本上垂直于所述支撐襯底的平面的方向上)。

5.根據權利要求1至3中任一權利要求所述的方法，其特征在于：所述光吸收層界面接合于所述一個或多個半導體溝道。

6.根據權利要求1至5中任一權利要求所述的方法，其特征在于：所述第一金屬層是遮光金屬圖案。

7.根據權利要求1至6中任一權利要求所述的方法，其特征在于：所述一個或多個半導體裝置形成用于液晶單元的控制部件半單元的一部分，所述液晶單元包括在所述控制部件半單元與另一半單元之間的液晶材料，所述另一半單元包括黑矩陣中的濾色器陣列。

8.一種裝置，其特征在于：包括：限定一個或多個半導體裝置的層的堆疊；所述堆疊包括：半導體層，所述半導體層限定所述一個或多個半導體裝置的一個或多個半導體溝道；在所述半導體層下方的第一金屬層以及在所述半導體層上方的第二金屬層；在所述第一金屬層和所述半導體層之間的導體圖案；以及在所述第一金屬層和所述導體圖案之間的光吸收圖案；所述光吸收圖案具有與所述導體圖案的邊緣對準的邊緣。

9.根據權利要求8所述的裝置，其特征在于：所述光吸收圖案表現出至少約1的白光光學密度(在基本上垂直于所述堆疊的平面的方向上)，以及不超過約10％的白光總反射率。

10.根據權利要求8或權利要求9所述的裝置，其特征在于：所述光吸收圖案包括絕緣體材料，優選地具有大于1MOhm/square的薄膜電阻。

11.根據權利要求8至10中任一權利要求所述的裝置，其特征在于：所述光吸收圖案與所述半導體層分開不大于約500nm的距離(在基本上垂直于所述堆疊的平面的方向上)。

12.根據權利要求8至10中任一權利要求所述的裝置，其特征在于：所述光吸收圖案界面接合于所述一個或多個半導體溝道。

13.根據權利要求8至12中任一權利要求所述的裝置，其特征在于：所述第一金屬層包括遮光金屬圖案。

14.根據權利要求8至13中任一權利要求所述的裝置，其特征在于：所述一個或多個半導體裝置形成用于液晶單元的控制部件半單元的一部分，所述液晶單元包括在所述控制部件半單元與另一半單元之間的液晶材料，所述另一半單元包括黑矩陣中的濾色器陣列。

15.一種裝置，其特征在于：包括：限定一個或多個晶體管裝置的層的堆疊；所述堆疊包括：半導體層，所述半導體層限定所述一個或多個晶體管裝置的一個或多個半導體溝道；在所述半導體層上的金屬層；以及在所述半導體層和所述金屬層之間的光吸收圖案。