[發明專利]激光回流裝置和激光回流方法

在審

• 申請號: 202011484105.0
• 申請日: 2020-12-16
• 公開（公告）號: CN113020738A
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發明（設計）人: 小林賢史;金永奭;木村展之;一宮佑希;陳之文
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: B23K1/005
• 分類號: B23K1/005;B23K101/40
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 喬婉;于靖帥

1.一種激光回流裝置，其對包含在一個側面上配置有凸塊的半導體芯片的被加工物從該半導體芯片的另一個側面照射激光束而對該被加工物的被照射范圍所包含的該凸塊進行回流，其中，

該激光回流裝置包含空間光調制單元和成像單元，該空間光調制單元具有能夠對從激光光源射出的激光束局部地設定該被照射范圍內的激光功率密度的激光功率密度設定功能，該成像單元具有將從該激光光源射出的激光束成像在該被加工物上并照射到該被加工物的該被照射范圍的成像功能，

或者，

該激光回流裝置包含空間光調制單元，該空間光調制單元具有能夠對從激光光源射出的激光束局部地設定該被照射范圍內的激光功率密度的激光功率密度設定功能、以及將該激光束成像在該被加工物上并照射到該被加工物的該被照射范圍的成像功能。

2.根據權利要求1所述的激光回流裝置，其中，

該激光回流裝置還包含能夠變更該被加工物上的被照射范圍的位置的被照射范圍變更單元。

3.根據權利要求1或2所述的激光回流裝置，其中，

該空間光調制單元將照射到該被照射范圍中的存在該凸塊的凸塊區域的激光束的激光功率密度設定得比照射到不存在該凸塊的非凸塊區域的激光束的激光功率密度高。

4.根據權利要求1或2所述的激光回流裝置，其中，

該激光回流裝置還包含均勻照射單元，該均勻照射單元配設在該激光光源與該空間光調制單元之間，使從該激光光源射出的激光束的激光功率密度在該空間光調制單元的入射面上均勻化。

5.根據權利要求1或2所述的激光回流裝置，其中，

該激光光源由多個光源構成。

6.根據權利要求1或2所述的激光回流裝置，其中，

該激光回流裝置還包含對被加工物的上表面的溫度進行檢測的溫度檢測器。

7.根據權利要求1或2所述的激光回流裝置，其中，

該激光回流裝置還包含按壓部件，該按壓部件由使該激光束透過的材質構成，按壓被加工物的上表面。

8.一種激光回流方法，使用了權利要求1或2所述的激光回流裝置，其中，

對該被照射范圍內的各特定區域分別設定所照射的激光束的激光功率密度。