[發明專利]半導體裝置和制造半導體裝置的方法

在審

• 申請號: 202011483941.7
• 申請日: 2020-12-16
• 公開（公告）號: CN113013133A
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發明（設計）人: 矢田貴弘;高巖司
• 申請（專利權）人: 安靠科技新加坡控股私人有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/31;H01L23/528;H01L23/552;H01L21/50;H01L21/56
• 代理公司: 北京寰華知識產權代理有限公司 11408
• 代理人: 何尤玉;郭仁建

1.一種半導體結構，其包括：

襯底，所述襯底包括導電結構，所述導電結構具有頂側和在所述導電結構的所述頂側上的第一屏蔽端子；

電子組件，所述電子組件處于所述導電結構的所述頂側上；

封裝體，所述封裝體處于所述導電結構的所述頂側上并且接觸所述電子組件的一側；

屏蔽件，所述屏蔽件處于所述封裝體的頂側和所述封裝體的側面上；以及

屏蔽互連件，所述屏蔽互連件將所述屏蔽件耦接到所述導電結構的所述第一屏蔽端子。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其中所述屏蔽件包括第一屏蔽層和在所述第一屏蔽層上的第二屏蔽層。

3.根據權利要求1所述的半導體結構，其進一步包括介電結構，所述介電結構耦接到所述導電結構。

4.根據權利要求3所述的半導體結構，其中所述介電結構包括所述封裝體的一部分作為連續材料。

5.根據權利要求3所述的半導體結構，其中所述介電結構與所述封裝體分開。

6.根據權利要求1所述的半導體結構，其中所述屏蔽件在所述封裝體的側面處接觸所述封裝體中的凹槽。

7.根據權利要求2所述的半導體結構，其中所述第一屏蔽層在所述封裝體的側面處包括脊和脊突出部，并且所述第二屏蔽層處于所述封裝體的所述側面處的所述脊突出部上。

8.根據權利要求1所述的半導體結構，其中所述導電結構包括支撐桿，并且所述第一屏蔽端子處于所述支撐桿上。

9.根據權利要求1所述的半導體結構，其中所述導電結構包括具有分隔桿的支撐桿，并且所述第一屏蔽端子處于所述分隔桿上。

10.根據權利要求1所述的半導體結構，其中所述屏蔽互連件包括接線。

11.根據權利要求1所述的半導體結構，其中所述導電結構包括與所述電子組件相鄰的槳片，所述第一屏蔽端子處于所述槳片上并且所述屏蔽互連件將所述屏蔽件耦接到所述槳片。

12.根據權利要求1所述的半導體結構，其中：

所述導電結構包括與所述電子組件相鄰的槳片；

所述第一屏蔽端子處于所述導電結構的支撐桿或引線中的一個上；

第二屏蔽端子處于所述槳片上；并且

所述屏蔽互連件耦接到所述第一屏蔽端子、所述第二屏蔽端子和所述屏蔽件。

13.一種方法，其包括：

提供襯底，所述襯底包括介電結構和導電結構，所述導電結構具有頂側和在所述導電結構的所述頂側上的屏蔽端子；

在所述導電結構的所述頂側上提供電子組件；

提供封裝體，所述封裝體處于所述導電結構的所述頂側上并且接觸所述電子組件的一側；

在所述封裝體中提供通孔，所述通孔是從所述封裝體的頂側到所述屏蔽端子；以及

在所述封裝體的頂側和所述封裝體的側面上提供屏蔽件，其中所述屏蔽件在所述通孔中包含將所述屏蔽件連接到所述導電結構的所述屏蔽端子的屏蔽互連件。

14.根據權利要求13所述的方法，其進一步包括在所述封裝體的所述頂側和所述封裝體的側表面上提供所述屏蔽件之前，在所述封裝體中提供通孔以暴露所述屏蔽端子。

15.根據權利要求13所述的方法，其進一步包括在所述封裝體的所述頂側和所述封裝體的側表面上提供所述屏蔽件之前，在所述封裝體上提供晶種層。

16.根據權利要求13所述的方法，其中所述提供屏蔽件包括在所述封裝體的所述頂側和所述封裝體的側表面上提供第一屏蔽層并且在所述第一屏蔽層上提供第二屏蔽層。