[發明專利]圖像傳感器的制備方法

在審

• 申請號: 202011483214.0
• 申請日: 2020-12-16
• 公開（公告）號: CN112614859A
• 公開（公告）日: 2021-04-06
• 發明（設計）人: 李曉玉;王騫
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種圖像傳感器的制備方法，其特征在于，包括：

提供襯底，對所述襯底進行離子注入以形成阱區；

對所述襯底進行第一退火工藝，所述第一退火工藝的退火溫度位于第一溫度設定范圍內，所述第一退火工藝的退火時間位于第一時間設定范圍內；

在所述襯底上形成柵極結構，對所述襯底進行離子注入以在所述阱區中形成源區和漏區；

對所述襯底進行第二退火工藝，所述第二退火工藝的退火溫度位于第二溫度設定范圍內，所述第二退火工藝的退火時間位于第二時間設定范圍內；

在所述源區、所述漏區及所述柵極結構上形成硅化物層；

對所述硅化物層進行第三退火工藝，所述第三退火工藝的退火溫度位于第三溫度設定范圍內，所述第三退火工藝的退火時間位于第三時間設定范圍內，所述第二溫度設定范圍的最大值及所述第三溫度設定范圍的最大值均小于所述第一溫度設定范圍的最小值，且所述第二時間設定范圍的最小值及所述第三時間設定范圍的最小值均大于所述第一時間設定范圍的最大值。

2.如權利要求1所述的圖像傳感器的制備方法，其特征在于，所述第三溫度設定范圍的最小值大于所述第二溫度設定范圍的最大值，所述第二時間設定范圍的最小值及最大值與所述第三時間設定范圍的最小值及最大值均相同。

3.如權利要求1所述的圖像傳感器的制備方法，其特征在于，所述襯底具有邏輯區及像素區，對所述襯底進行離子注入時，同步對所述襯底的邏輯區及像素區進行離子注入。

4.如權利要求1所述的圖像傳感器的制備方法，其特征在于，對所述硅化物層進行第三退火工藝時，所述源區、所述漏區及所述柵極結構中的缺陷和雜質原子移動至所述硅化物層中。

5.如權利要求2所述的圖像傳感器的制備方法，其特征在于，所述第一溫度設定范圍為950℃～1050℃，所述第一時間設定范圍為20S～40S。

6.如權利要求5所述的圖像傳感器的制備方法，其特征在于，所述第一退火工藝的退火溫度為1000℃，所述第一退火工藝的退火時間為30S。

7.如權利要求2所述的圖像傳感器的制備方法，其特征在于，所述第二溫度設定范圍為550℃～600℃，所述第二時間設定范圍為30min～120min。

8.如權利要求7所述的圖像傳感器的制備方法，其特征在于，所述第二退火工藝的退火溫度為580℃，所述第二退火工藝的退火時間為60min。

9.如權利要求2所述的圖像傳感器的制備方法，其特征在于，所述第三溫度設定范圍為650℃～700℃，所述第三時間設定范圍為30min～120min。

10.如權利要求9所述的圖像傳感器的制備方法，其特征在于，所述第三退火工藝的退火溫度為680℃，所述第三退火工藝的退火時間為60min。

11.如權利要求1所述的圖像傳感器的制備方法，其特征在于，在所述襯底上形成柵極結構的步驟包括：

在所述襯底上依次形成柵氧化層、多晶硅層及圖形化的掩模層；

以所述圖形化的掩模層為掩模刻蝕所述柵氧化層及所述多晶硅層，剩余的所述柵氧化層及所述多晶硅層構成所述柵極結構。