[發明專利]溝道孔的制作方法、存儲器及其制作方法有效
| 申請號: | 202011483118.6 | 申請日: | 2020-12-15 |
| 公開(公告)號: | CN112614846B | 公開(公告)日: | 2021-12-03 |
| 發明(設計)人: | 柳波;楊超;吳振國;徐文超;何豐;軒攀登 | 申請(專利權)人: | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L27/11556 | 分類號: | H01L27/11556;H01L27/11524;H01L27/11582;H01L27/1157 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 梁文惠 |
| 地址: | 430074 湖北省武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 溝道 制作方法 存儲器 及其 | ||
1.一種溝道孔的制作方法,其特征在于,包括以下步驟:
提供表面具有第一堆疊結構(10)的襯底(100),所述第一堆疊結構(10)中形成有貫穿至所述襯底(100)的多個第一溝道通孔(210),在各所述第一溝道通孔(210)中形成填充層(211),所述第一堆疊結構(10)具有至少一個切割區域,所述第一溝道通孔(210)位于所述第一堆疊結構(10)中除所述切割區域之外的區域中;
在所述第一堆疊結構(10)表面覆蓋中間層(40),在與所述切割區域對應的所述中間層(40)中形成第一對位槽(510);
在所述中間層(40)上形成第二堆疊結構(60),所述第二堆疊結構(60)對應于所述第一對位槽(510)的位置形成有第二對位槽(520);
基于所述第二對位槽(520),采用套刻工藝形成順序貫穿所述第二堆疊結構(60)和中間層(40)至所述填充層(211)的第二溝道通孔(220),去除所述填充層(211)以使所述第二溝道通孔(220)與所述第一溝道通孔(210)連通,
所述第一堆疊結構(10)包括沿遠離所述襯底(100)的方向交替層疊的第一犧牲層(110)和第一隔離層(120);
所述中間層(40)包括沿遠離所述襯底(100)的方向交替層疊的第二犧牲層(410)和第二隔離層(420);
所述第二堆疊結構(60)包括沿遠離所述襯底(100)的方向交替層疊的第三犧牲層(610)和第三隔離層(620),
所述第一對位槽(510)貫穿所述中間層(40);
所述第一對位槽(510)貫穿至所述第一堆疊結構(10)中。
2.根據權利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述中間層(40)包括至少兩組所述第二犧牲層(410)和所述第二隔離層(420)。
3.根據權利要求1所述的制作方法,其特征在于,采用光刻工藝在與所述切割區域對應的所述中間層(40)中形成所述第一對位槽(510)。
4.根據權利要求1所述的制作方法,其特征在于,形成所述第二溝道通孔(220)的步驟包括:
在所述第二堆疊結構(60)表面覆蓋硬掩膜(70),所述硬掩膜(70)對應于所述第二對位槽(520)的位置形成第三對位槽;
采用光刻工藝在所述硬掩膜(70)上除所述第三對位槽之外的位置形成開口,通過所述開口對所述第二堆疊結構(60)進行刻蝕,以形成所述第二溝道通孔(220),所述開口與所述第一溝道通孔(210)一一對應。
5.一種存儲器的制作方法,其特征在于,包括以下步驟:
采用權利要求1至4中任一項所述的制作方法在襯底(100)上形成具有堆疊結構,所述堆疊結構中具有貫穿至所述襯底(100)的溝道孔(20),所述堆疊結構包括沿遠離所述襯底(100)的方向交替層疊的犧牲層和隔離層;
在所述溝道孔(20)中形成存儲結構;
在所述堆疊結構中形成貫穿至所述襯底(100)的柵極隔槽,所述柵極隔槽位于相鄰所述溝道孔(20)之間;
去除所述犧牲層,并在對應所述犧牲層的位置形成柵極層。
6.根據權利要求5所述的制作方法,其特征在于,形成所述存儲結構的步驟包括:
在所述溝道孔(20)的側壁上順序形成層疊的電荷阻擋層、電子捕獲層、隧穿層和溝道層。
7.根據權利要求5所述的制作方法,其特征在于,在所述堆疊結構的形成有第二對位槽(520)的切割區域形成貫穿至所述襯底(100)的所述柵極隔槽。
8.一種存儲器,其特征在于,包括具有雙柵極堆疊結構的襯底(100)和存儲結構(500),所述雙柵極堆疊結構包括沿遠離所述襯底(100)方向順序層疊的第一柵極堆疊結構(200)、中間柵極堆疊結構(300)和第二柵極堆疊結構(400),所述第一柵極堆疊結構(200)中具有貫穿至所述襯底(100)的第一溝道通孔(210),所述中間柵極堆疊結構(300)和所述第二柵極堆疊結構(400)中具有與所述第一溝道通孔(210)連通的第二溝道通孔(220),所述存儲結構位于連通的所述第一溝道通孔(210)與所述第二溝道通孔(220)中,所述中間柵極堆疊結構(300)遠離所述襯底(100)的一側具有第一對位槽(510),所述第二柵極堆疊結構(400)中的部分填充于所述第一對位槽(510)中,所述第二柵極堆疊結構遠離所述襯底(100)的一側表面具有與所述第一對位槽(510)對應的第二對位槽(520),
所述第一柵極堆疊結構(200)包括交替層疊的第一隔離層(120)和第一柵極結構(130),
所述中間柵極堆疊結構(300)包括交替層疊的第二隔離層(420)和第二柵極結構(430),
所述第二柵極堆疊結構(400)包括交替層疊的第三隔離層(620)和第三柵極結構(630),
所述第一對位槽(510)貫穿所述中間柵極堆疊結構(300);
所述第一對位槽(510)貫穿至所述第一柵極堆疊結構(200)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





