[發明專利]一種提高接近開關絕緣性能的結構在審
| 申請號： | 202011482672.2 | 申請日： | 2020-12-16 |
| 公開（公告）號： | CN112311375A | 公開（公告）日： | 2021-02-02 |
| 發明（設計）人： | 王國建;鞠洪福;張遠 | 申請（專利權）人： | 貴州新安航空機械有限責任公司 |
| 主分類號： | H03K17/945 | 分類號： | H03K17/945;H03K17/95 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 561000 貴*** | 國省代碼： | 貴州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 提高 接近 開關 絕緣 性能 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種提高接近開關絕緣性能的結構，其特征在于，包括電感線圈（1）和磁罐（5），所述磁罐（5）設置有與電感線圈（1）配合的環形槽，所述環形槽內表面噴涂絕緣層，磁罐（5）設置有穿線孔（3）。
2.根據權利要求1所述的一種提高接近開關絕緣性能的結構，其特征在于，所述環形槽內表面噴涂的絕緣層為聚四氟乙烯。
3.根據權利要求2所述的一種提高接近開關絕緣性能的結構，其特征在于，所述漆包線（2）外部包裹聚四氟乙烯薄膜。
4.根據權利要求3所述的一種提高接近開關絕緣性能的結構，其特征在于，所述磁罐（5）設置有與電感線圈（1）引出的漆包線（2）適配的引線槽（4）。
5.根據權利要求4所述的一種提高接近開關絕緣性能的結構，其特征在于，所述電感線圈（1）裝于磁罐（5）環形槽內時，其上表面應低于磁罐（5）上表面。
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